IXTN36N50S1是一款由IXYS公司生产的N沟道功率MOSFET,广泛用于高功率开关应用。该器件采用TO-247封装,具有低导通电阻和高耐压特性,适用于电源转换器、电机驱动器、DC-DC转换器和逆变器等电路设计。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(VDS):500V
栅源电压(VGS):±30V
连续漏极电流(ID):36A
脉冲漏极电流(IDM):144A
工作温度范围:-55°C至150°C
导通电阻(RDS(on)):最大值为0.105Ω
封装类型:TO-247
IXTN36N50S1具有低导通电阻(RDS(on))特性,使得器件在导通状态下功耗更低,从而提高了整体系统的效率。该器件的RDS(on)典型值为0.105Ω,确保在大电流条件下仍能保持较低的导通损耗。
此外,该MOSFET具备高耐压能力,其漏源击穿电压(VDS)为500V,适合在高压环境下工作。其栅源电压容限为±30V,提供了良好的栅极驱动兼容性,适用于多种PWM控制器和驱动电路。
该器件的封装形式为TO-247,具有良好的热性能和机械稳定性,能够在高功率应用中有效散热。同时,该封装形式便于安装在散热片上,进一步提升散热能力。
IXTN36N50S1还具备快速开关特性,减少开关损耗并提高电源转换效率。其开关时间较短,适合高频开关应用,如开关电源(SMPS)、DC-DC转换器和逆变器等。
该MOSFET的可靠性高,具有良好的抗雪崩能力和热稳定性,适用于要求高稳定性和长寿命的工业和电源系统。
IXTN36N50S1主要应用于各种高功率电子系统中,如开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、电机驱动器、逆变器和功率因数校正(PFC)电路。在开关电源中,该MOSFET可作为主开关元件,实现高效的能量转换。在DC-DC转换器中,其低导通电阻和快速开关特性有助于提高转换效率。在电机驱动系统中,该器件可承受较大的电流冲击并提供稳定的输出性能。此外,在逆变器和不间断电源(UPS)系统中,该MOSFET的高耐压和高可靠性使其成为理想的选择。
IXFH36N50P, IRFP460LC, STP36NF06L, FDPF36N50