IXTN36N50S1 时间：2025/8/6 1:58:22 阅读：32

IXTN36N50S1是一款由IXYS公司生产的N沟道功率MOSFET，广泛用于高功率开关应用。该器件采用TO-247封装，具有低导通电阻和高耐压特性，适用于电源转换器、电机驱动器、DC-DC转换器和逆变器等电路设计。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：500V
　　栅源电压（VGS）：±30V
　　连续漏极电流（ID）：36A
　　脉冲漏极电流（IDM）：144A
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　导通电阻（RDS(on)）：最大值为0.105Ω
　　封装类型：TO-247

特性

IXTN36N50S1具有低导通电阻（RDS(on)）特性，使得器件在导通状态下功耗更低，从而提高了整体系统的效率。该器件的RDS(on)典型值为0.105Ω，确保在大电流条件下仍能保持较低的导通损耗。
　　此外，该MOSFET具备高耐压能力，其漏源击穿电压（VDS）为500V，适合在高压环境下工作。其栅源电压容限为±30V，提供了良好的栅极驱动兼容性，适用于多种PWM控制器和驱动电路。
　　该器件的封装形式为TO-247，具有良好的热性能和机械稳定性，能够在高功率应用中有效散热。同时，该封装形式便于安装在散热片上，进一步提升散热能力。
　　IXTN36N50S1还具备快速开关特性，减少开关损耗并提高电源转换效率。其开关时间较短，适合高频开关应用，如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器和逆变器等。
　　该MOSFET的可靠性高，具有良好的抗雪崩能力和热稳定性，适用于要求高稳定性和长寿命的工业和电源系统。

应用

IXTN36N50S1主要应用于各种高功率电子系统中，如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动器、逆变器和功率因数校正（PFC）电路。在开关电源中，该MOSFET可作为主开关元件，实现高效的能量转换。在DC-DC转换器中，其低导通电阻和快速开关特性有助于提高转换效率。在电机驱动系统中，该器件可承受较大的电流冲击并提供稳定的输出性能。此外，在逆变器和不间断电源（UPS）系统中，该MOSFET的高耐压和高可靠性使其成为理想的选择。