时间：2025/8/5 13:52:44
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IXTN24N50Q 是一款由 IXYS 公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于高功率开关电路中。该器件设计用于高效能、高可靠性的电力电子应用，例如开关电源、电机控制和逆变器等。IXTN24N50Q 采用 TO-247 封装，具备低导通电阻、高耐压能力和高电流承载能力，是中高功率应用的理想选择。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
最大漏源电压（Vds）：500V
最大栅源电压（Vgs）：±20V
最大漏极电流（Id）：24A
导通电阻（Rds(on)）：0.22Ω（最大）
功率耗散（Ptot）：300W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：TO-247
IXTN24N50Q 具备多项优异的电气特性，首先是其高耐压能力，漏源电压（Vds）最大可达 500V，使其适用于高压电路中的开关操作。其次，其低导通电阻（Rds(on)）为 0.22Ω，能够有效降低导通损耗，提高系统效率。此外，该器件的最大漏极电流为 24A，具备较强的电流承载能力，适合高功率应用场景。
IXTN24N50Q 还具有良好的热稳定性和高功率耗散能力（300W），使其在高负载条件下仍能保持稳定运行。栅源电压范围为 ±20V，具备较强的抗电压波动能力。TO-247 封装形式不仅提供了良好的散热性能，还便于在 PCB 板上安装和使用。该器件的高可靠性使其广泛应用于工业控制、电源转换、电机驱动等领域。
IXTN24N50Q 主要用于需要高电压、高电流和高效能的电力电子系统中。常见应用包括开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、逆变器、UPS 系统、电机控制电路、照明镇流器以及工业自动化设备中的功率开关模块。由于其高耐压能力和低导通电阻，IXTN24N50Q 也常用于设计高效率的功率因数校正（PFC）电路，以提升电源系统的整体性能。
STP24N50, IRFP460, FQA24N50, FDPF24N50
