类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(Vds)：800V
　　连续漏极电流(Id)：6A
　　导通电阻(Rds(on))：约1.5Ω（最大）
　　栅极阈值电压(Vgs(th))：2V至4V
　　功耗(Pd)：50W
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装类型：TO-220

IXTM6N80A功率MOSFET具有多个关键特性，使其适合于高压功率转换应用。
　　首先，该器件的漏源电压额定值为800V，能够承受高电压应力，适用于诸如开关电源（SMPS）和逆变器等高压应用。其连续漏极电流额定值为6A，能够在中等电流负载下保持稳定工作。
　　其次，该MOSFET的导通电阻约为1.5Ω，尽管相对较高，但在其工作范围内仍能提供良好的导通性能，适用于开关频率不特别高的场合。此外，该器件的栅极阈值电压范围为2V至4V，允许使用标准逻辑电平进行驱动，提高了设计的灵活性。
　　该器件的封装形式为TO-220，具有良好的散热性能，有助于在高功率应用中保持较低的工作温度。其功耗额定值为50W，表明它可以在不使用额外散热片的情况下处理相对较高的功率水平。
　　最后，IXTM6N80A的工作温度范围为-55°C至+150°C，具备良好的环境适应性和稳定性，适用于工业级和汽车电子应用中的苛刻环境条件。

IXTM6N80A广泛应用于各种需要高压功率开关的电子设备中。它常用于开关模式电源（SMPS）、AC-DC转换器和DC-DC转换器，作为主开关元件，用于提高电源效率和减小系统体积。此外，该MOSFET也适用于马达控制电路，如变频器和伺服驱动器，用于实现精确的速度和扭矩控制。在照明系统中，尤其是高压气体放电灯（HID）和LED驱动器中，IXTM6N80A可用于高频开关操作。它还可用于逆变器、不间断电源（UPS）系统以及太阳能逆变器中的功率转换环节。由于其具备较高的温度耐受能力，该器件也适用于高温环境下工作的工业控制系统。

STP6NK80Z, FQA6N80C, 2SK2141