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IXTM5N100A 发布时间 时间:2025/7/25 20:05:53 查看 阅读:6

IXTM5N100A是一款由IXYS公司生产的高电压、高电流的功率MOSFET,适用于各种需要高效功率转换和控制的电子系统。这款MOSFET采用先进的制造工艺,具备低导通电阻和快速开关特性,使其在高频率应用中表现优异。IXTM5N100A的封装形式为TO-247,方便在各种功率电路中安装和使用。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏源电压(Vds):1000V
  最大漏极电流(Id):5A
  导通电阻(Rds(on)):约2.5Ω
  栅极电荷(Qg):约27nC
  工作温度范围:-55°C至+150°C
  封装类型:TO-247

特性

IXTM5N100A具备多项优良特性,首先其高电压能力(1000V)使其适用于高电压功率转换应用,如电源供应器和马达驱动器。其次,低导通电阻(约2.5Ω)减少了导通损耗,提高了整体效率。此外,快速开关特性降低了开关损耗,使其适用于高频率开关应用。
  该MOSFET的封装形式为TO-247,具有良好的散热性能,能够有效降低工作时的温度。其栅极电荷(Qg)较低(约27nC),有助于减少驱动电路的负担,提高系统的动态响应能力。IXTM5N100A的工作温度范围广泛(-55°C至+150°C),使其能够在各种恶劣环境中稳定工作。
  此外,IXTM5N100A具备较高的可靠性和耐用性,适合长期运行的工业应用。其设计符合多项国际安全和环保标准,确保了产品的质量和安全性。

应用

IXTM5N100A广泛应用于多个领域,包括电源供应器、马达驱动器、DC-DC转换器、AC-DC转换器以及工业控制系统等。其高电压和高电流能力使其成为高压功率转换应用的理想选择。在电源供应器中,IXTM5N100A可用于高效率的开关电源设计,提高电源的稳定性和可靠性。在马达驱动器中,它能够提供高效的功率输出,满足高性能马达控制的需求。此外,该MOSFET还可用于太阳能逆变器和电动汽车充电系统等新能源领域,提供高效、稳定的功率转换解决方案。

替代型号

IXTP6N100A, IRF840, FDPF840

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IXTM5N100A参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列-
  • 包装管件
  • 产品状态停产
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)1000 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)5A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)2 欧姆 @ 2.5A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)4.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)130 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)2600 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)180W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型通孔
  • 供应商器件封装TO-204AA(IXTM)
  • 封装/外壳TO-204AA,TO-3