时间：2025/8/5 12:36:44
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IXTM50N15 是一款由 IXYS 公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，适用于高频率开关和高功率密度应用。这款晶体管设计用于需要高效率和低导通损耗的场合，例如 DC-DC 转换器、电机控制和电源管理系统。
类型：N 沟道
漏源电压(Vds)：150V
漏极电流(Id)：50A
导通电阻(Rds(on))：40mΩ
栅极电荷(Qg)：72nC
工作温度：-55°C ~ 175°C
封装类型：TO-247
IXTM50N15 提供了低导通电阻和快速开关特性，使其在高频率开关应用中表现出色。其高电流承载能力和低热阻确保了在高功率应用中的可靠性和稳定性。此外，该器件具有高雪崩能量耐受能力，适合于需要高可靠性的工业和汽车应用。
该 MOSFET 还具备出色的热性能，采用 TO-247 封装，有助于有效散热，从而延长器件的使用寿命。由于其快速恢复特性，IXTM50N15 可以在高开关频率下运行，减少系统的整体尺寸和重量。
IXTM50N15 主要用于电力电子变换器、不间断电源（UPS）、电池充电器、太阳能逆变器、电机驱动器以及各种工业自动化和控制设备。它也常用于高功率 DC-DC 转换器和开关电源设计。
IXFH50N150P、IXYS50N15、IRFP4668
