类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压(Vds)：900V
　　栅源电压(Vgs)：±30V
　　漏极电流(Id)：3A（连续）
　　导通电阻(Rds(on))：最大3.5Ω @ Vgs=10V
　　功率耗散(Pd)：50W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：TO-220

IXTM3N90具备多项卓越特性，使其在高电压功率应用中具有显著优势。首先，该器件采用了先进的平面DMOS技术，使其在高电压下仍能保持优异的导通和开关性能。其低导通电阻（Rds(on)）确保在高电流条件下损耗最小，提高了整体效率。
　　其次，IXTM3N90的漏源电压高达900V，适用于高电压环境，如电源适配器、开关电源和功率因数校正电路。栅源电压为±30V，允许在较宽的控制电压范围内工作，同时具备较高的抗过压能力。
　　该器件的最大漏极电流为3A，适合中等功率级别的应用。此外，其最大功率耗散为50W，支持较高的功率密度设计。TO-220封装形式不仅提供了良好的散热性能，还便于安装和使用，适用于多种工业和消费类电子设备。
　　IXTM3N90的工作温度范围为-55°C至+150°C，表现出良好的热稳定性和可靠性，可在严苛环境下稳定运行。此外，该MOSFET具有快速开关特性，能够有效降低开关损耗，提高系统效率，适用于高频开关应用。
　　综合来看，IXTM3N90凭借其高耐压、低导通电阻、高可靠性和良好的热性能，成为众多高电压功率应用的理想选择。

IXTM3N90广泛应用于各种高电压和中等功率的电子系统中。它常用于开关电源（SMPS）中的主开关器件，支持高效能电源适配器、充电器和服务器电源的设计。此外，该MOSFET也适用于DC-DC转换器，尤其在升压（Boost）和降压（Buck）电路中表现出色。
　　在工业控制领域，IXTM3N90可用于电机驱动和继电器控制电路，提供可靠的功率开关功能。由于其快速开关特性，能够有效减少开关损耗，提高系统效率。
　　该器件还适用于功率因数校正（PFC）电路，帮助改善电源系统的能效和稳定性。此外，在汽车电子系统中，如车载充电器和DC-AC逆变器中，IXTM3N90也展现出良好的性能和可靠性。
　　总的来说，IXTM3N90适用于需要高耐压、中等电流能力以及高效率的各类功率电子设备。

STP3NK90Z, FQA3N90C, 2SK2143