IXTM19N50 是一款由 Littelfuse(前身为 IXYS)制造的 N 沟道增强型功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于需要高效能和高可靠性的电源管理应用。该器件设计用于高功率开关电路,广泛应用于 DC-DC 转换器、电机控制、功率因数校正(PFC)电路、不间断电源(UPS)以及工业自动化设备中。IXTM19N50 提供了低导通电阻(Rds(on))和快速开关特性,有助于提高系统效率并减少散热需求。
类型:N 沟道增强型 MOSFET
漏源电压(Vds):500 V
栅源电压(Vgs):±30 V
漏极电流(Id):19 A
工作温度范围:-55°C 至 150°C
封装类型:TO-247
导通电阻(Rds(on)):典型值 0.23 Ω
最大功耗(Ptot):150 W
栅极电荷(Qg):47 nC
输入电容(Ciss):1080 pF
输出电容(Coss):230 pF
反向恢复时间(trr):42 ns
短路耐受能力:有
IXTM19N50 的设计结合了高电压能力和相对较高的额定电流,使其成为中高功率应用的理想选择。其主要特性包括:
1. **低导通电阻(Rds(on))**:IXTM19N50 典型的 Rds(on) 为 0.23Ω,确保在导通状态下的功率损耗最小化,从而提高整体系统效率。
2. **高耐压能力**:500V 的 Vds 额定值使其适用于高电压开关电路,能够承受较高的瞬态电压和过压情况。
3. **高速开关性能**:由于其较低的栅极电荷(Qg = 47nC)和快速反向恢复时间(trr = 42ns),该器件能够在高频条件下高效工作,减少开关损耗。
4. **热稳定性与可靠性**:采用坚固的硅技术和 TO-247 封装,IXTM19N50 在高温环境下依然保持良好的导通性能,并具备优异的散热能力。
5. **抗短路能力**:在设计上,该器件具有一定的短路耐受能力,可在短时间内承受过载电流而不损坏。
6. **易于并联使用**:由于其正温度系数特性,多个 IXTM19N50 可以并联使用以增加系统功率容量,而不必担心电流不均问题。
这些特性使得 IXTM19N50 在需要高效能、紧凑型功率解决方案的应用中表现出色。
IXTM19N50 适用于多种电源管理和功率转换应用,主要包括:
1. **DC-DC 转换器**:用于工业电源、通信设备和嵌入式系统的高效 DC-DC 转换电路。
2. **AC-DC 功率因数校正(PFC)电路**:用于提高电源系统的功率因数,减少电网污染。
3. **电机控制与变频器**:用于电动工具、家电和工业自动化中的电机驱动电路。
4. **不间断电源(UPS)**:作为 UPS 中的主开关元件,确保在电力中断时的无缝切换和稳定输出。
5. **太阳能逆变器与储能系统**:用于将太阳能板或电池中的直流电转换为交流电输出。
6. **焊接设备与感应加热**:在高功率焊接和感应加热设备中作为开关元件。
7. **LED 照明电源**:用于高功率 LED 照明系统的电源管理模块。
8. **汽车电子系统**:如电动车(EV)和混合动力车(HEV)中的车载充电器(OBC)和DC-AC逆变器。
这些应用场景均受益于 IXTM19N50 的高效能、高可靠性和快速开关特性。
IXTP19N50D2, IXFN18N50, IRFP460LC, FCP19N50