类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(Vds)：450V
　　漏极电流(Id)：19A
　　导通电阻(Rds(on))：0.18Ω
　　栅极电压(Vgs)：±20V
　　功率耗散(Pd)：200W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：TO-247

IXTM19N45 MOSFET 具有多个关键特性，使其在高功率应用中表现优异。首先，其低导通电阻（Rds(on)）为 0.18Ω，这意味着在导通状态下，器件的功耗较低，提高了整体效率。其次，该器件支持高达 19A 的漏极电流，适用于高电流负载的应用。此外，IXTM19N45 提供了宽广的栅极电压范围（±20V），允许设计者在多种驱动条件下优化性能。该器件的封装设计（TO-247）提供了良好的散热性能，确保在高功率工作条件下保持稳定。
　　IXTM19N45 还具有良好的热稳定性，能够在 -55°C 至 150°C 的温度范围内工作，适应多种环境条件。其最大功率耗散为 200W，确保在高负载情况下依然能够可靠运行。这些特性使得 IXTM19N45 在工业电源、电机控制、逆变器和高功率 DC-DC 转换器中成为理想选择。

IXTM19N45 主要用于需要高电压和高电流处理能力的功率电子系统中。常见的应用包括工业电源、DC-AC 逆变器、电机驱动器、开关电源（SMPS）、电池充电器和能量管理系统。在这些应用中，IXTM19N45 提供了高效、可靠的开关性能，帮助设计者实现更高的系统效率和更小的电路板空间占用。由于其优异的热管理能力，该器件也常用于需要长时间高负载运行的工业控制系统。

IXTP19N45S, IRFP460, STP19N45, FQA19N45