时间：2025/8/5 14:26:11
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IXTM15N45A是一款由IXYS公司生产的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要设计用于高功率开关应用。该器件采用TO-247封装形式，具备良好的热稳定性和高效的开关性能，适合在电源转换系统、电机驱动和工业控制等场景中使用。该MOSFET的漏极电流最大可达15A，漏极-源极击穿电压为450V，能够满足高电压和高功率处理的需求。
漏极-源极击穿电压(Vds)：450V
栅极-源极击穿电压(Vgs)：±30V
漏极连续电流(Id)：15A
功耗(Pd)：200W
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
存储温度范围：-55°C ~ +150°C
导通电阻(Rds(on))：0.38Ω（典型值）
栅极电荷(Qg)：60nC
输入电容(Ciss)：1300pF
输出电容(Coss)：480pF
反向恢复时间(trr)：50ns
IXTM15N45A具有低导通电阻的特点，有助于减少导通状态下的功率损耗，提高系统的整体效率。其高击穿电压使其适用于高电压应用，同时具备良好的过载和瞬态响应能力。该器件的快速开关特性能够降低开关损耗，提高系统的工作频率，从而减小外围电路的体积和重量。此外，IXTM15N45A采用了先进的平面技术，具有优异的热性能，能够在高温环境下稳定运行。其TO-247封装提供了良好的散热性能，确保在高功率应用中保持较低的结温。该MOSFET还具有较强的抗雪崩能力，能够承受高能量的瞬态过压，提高了器件的可靠性和使用寿命。
IXTM15N45A广泛应用于各类高功率电子设备中，如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、AC-DC整流器、电机控制、逆变器、不间断电源（UPS）以及工业自动化控制系统等。由于其高耐压和低导通电阻的特性，它在功率因数校正（PFC）电路中也表现出色。此外，该器件还可用于太阳能逆变器、电动汽车充电系统和电池管理系统等新兴领域，满足高效能和高可靠性的设计需求。
STP15N45C2, FQA15N45C, IRGP4063
