您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > IXTL2X180N10T

IXTL2X180N10T 发布时间 时间:2023/3/6 13:51:45 查看 阅读:356

    类别:分离式半导体产品

    家庭:MOSFETs - 阵列

    系列:TrenchMV?

    

目录

概述

    类别:分离式半导体产品

    家庭:MOSFETs - 阵列

    系列:TrenchMV?

    FET 型:2 个 N 沟道(双)

    FET 特点:标准型

    开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:7.4 毫欧 @ 50A, 10V

    漏极至源极电压(Vdss):100V

    电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:100A

    Id 时的 Vgs(th)(最大):4.5V @ 250μA

    闸电荷(Qg) @ Vgs:151nC @ 10V

    在 Vds 时的输入电容(Ciss) :6900pF @ 25V

    功率 - 最大:150W

    安装类型:通孔

    封装/外壳:ISOPLUSi5-Pak?

    包装:管件

    供应商设备封装:*



资料

厂商
IXYS

IXTL2X180N10T推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

IXTL2X180N10T参数

  • 标准包装25
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 阵列
  • 系列TrenchMV™
  • FET 型2 个 N 沟道(双)
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C100A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C7.4 毫欧 @ 50A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs151nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds6900pF @ 25V
  • 功率 - 最大150W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳ISOPLUSi5-Pak?
  • 供应商设备封装ISOPLUSi5-Pak?
  • 包装管件