型号：IXTK82N25P
　　制造商：IXYS（现为Littelfuse旗下品牌）
　　晶体管类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（VDS）：250V
　　连续漏极电流（ID @ 25°C）：82A
　　脉冲漏极电流（IDM）：328A
　　最大栅源电压（VGSS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on) max @ VGS = 10V）：27mΩ
　　阈值电压（VGS(th)）：4.0V ~ 6.0V
　　栅极电荷（Qg）：270nC（典型值）
　　输入电容（Ciss）：10000pF（典型值）
　　输出电容（Coss）：940pF（典型值）
　　反向恢复时间（trr）：55ns
　　最大工作结温（Tj）：175°C
　　封装类型：TO-247

IXTK82N25P具备多项优异的电气与热力学特性，使其在高功率应用中表现卓越。首先，其250V的漏源击穿电压确保了在高压系统中的安全裕度，尤其适用于200V至240V直流母线电压的应用环境，如工业逆变器和大功率开关电源。该器件在室温下可承载高达82A的连续漏极电流，短时脉冲电流可达328A，表明其具有极强的瞬态负载承受能力，适用于电机启动、电容充电等大电流冲击场景。
　　其次，该MOSFET的导通电阻RDS(on)最大仅为27mΩ（在VGS=10V时），这一低阻值显著降低了导通状态下的功率损耗，减少了发热，提高了能源转换效率。即使在高温工作条件下，RDS(on)随温度上升的变化率也相对平缓，保证了系统在长时间运行中的稳定性。此外，其较低的栅极电荷（Qg = 270nC）意味着驱动电路所需的能量较少，有利于简化驱动设计并降低驱动芯片的成本，同时支持更高的开关频率，适用于高频PWM调制应用，如数字电源和D类音频放大器。
　　该器件还具备出色的开关特性，包括快速的开启和关断时间，配合较低的输出电容（Coss）和反馈电容（Crss），有效减少了开关过程中的交叠损耗。其反向恢复时间（trr）为55ns，在体二极管参与换流的电路中表现出较快的恢复速度，降低了反向恢复带来的尖峰电压和电磁干扰（EMI）。同时，器件经过严格测试，具备一定的单脉冲抗雪崩能力，能够在异常工况下吸收一定的感性能量而不损坏，增强了系统的鲁棒性。
　　热性能方面，TO-247封装提供了良好的热传导路径，允许通过外部散热器将热量迅速导出，确保结温维持在安全范围内。其最大结温可达175°C，支持在高温工业环境中长期运行。此外，该器件的栅氧层经过强化设计，可耐受±20V的栅源电压，提高了对误操作或噪声干扰的容忍度，提升了现场应用的可靠性。

IXTK82N25P广泛应用于各类高功率、高效率的电力电子系统中。其主要应用场景包括工业电机驱动系统，作为主逆变桥臂的开关元件，用于控制交流或直流电机的转速与扭矩，适用于泵、风机、压缩机等设备的变频控制。在不间断电源（UPS）系统中，该器件用于DC-AC逆变级，实现电池直流电到交流电的高效转换，保障关键负载的持续供电。
　　在开关模式电源（SMPS）领域，特别是大功率服务器电源、通信电源和医疗电源中，IXTK82N25P常用于有源功率因数校正（PFC）电路或LLC谐振变换器的主开关位置，凭借其低导通损耗和快速开关特性，显著提升电源效率并满足80 PLUS铂金或钛金能效标准。
　　该器件也适用于太阳能光伏逆变器，用于将光伏阵列产生的直流电转换为并网交流电，其高耐压和大电流能力适应于串型光伏系统的高电压输出。在感应加热和电焊设备中，IXTK82N25P用于构建高频全桥或半桥逆变电路，实现高效的能量传输与精确的功率控制。
　　此外，该MOSFET还可用于电动汽车车载充电机（OBC）、直流充电桩的辅助电源模块、大功率LED驱动电源以及高保真D类音频放大器的输出级。其高可靠性和稳定性使其成为工业级和严苛环境应用的理想选择。

IRFP4668
　　STP82N25M5
　　FQP82N25