时间：2025/8/5 13:23:47
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IXTK48N50是一款由IXYS公司生产的高电压、高电流MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高功率开关应用而设计。该器件具有低导通电阻、高耐压能力和快速开关特性，适用于电源转换器、逆变器、马达控制和各种工业电源设备中。IXTK48N50采用TO-247封装，具有良好的热性能和可靠性，适合高效率、高密度的电源设计。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：500V
连续漏极电流（ID）：48A
导通电阻（RDS(on)）：0.155Ω（最大）
栅极阈值电压（VGS(th)）：4V（典型值）
功耗（PD）：300W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TO-247
IXTK48N50具备出色的导通和开关性能，其低导通电阻可有效降低导通损耗，提高系统效率。该器件的高耐压能力使其能够在高压环境下稳定工作，适用于多种高功率应用场景。此外，IXTK48N50的封装设计提供了良好的散热性能，确保在高电流条件下也能保持较低的结温，延长器件寿命。
该MOSFET具有快速恢复二极管特性，适用于高频开关应用，能够减少开关损耗并提升整体性能。同时，其坚固的结构设计和良好的抗雪崩能力使其在恶劣工作条件下仍能保持稳定运行，适用于工业控制、电源管理和电动车辆等领域。
IXTK48N50还具备较高的短路耐受能力，能够在短时间过载情况下不损坏，提高了系统的可靠性和安全性。该器件的栅极驱动要求适中，易于与常见的驱动电路匹配，简化了设计和应用。
IXTK48N50广泛应用于各类高功率电子设备中，如DC-AC逆变器、不间断电源（UPS）、开关电源（SMPS）、太阳能逆变器、马达驱动系统和工业自动化设备。此外，它还可用于高功率LED照明驱动、电焊机、电池充电器等需要高压大电流控制的场合。由于其高可靠性和良好的热管理能力，IXTK48N50也适用于要求严苛的车载电源系统和新能源发电系统。
STP48N50, FDP48N50, IRFP4868
