IXTH96N30 时间：2025/8/6 5:36:41 阅读：6

IXTH96N30 是一款由 Littelfuse（原 IXYS 公司）制造的高功率 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件专为高电流、高电压应用而设计，广泛用于工业电源、焊接设备、电动车辆、逆变器和高功率 DC-DC 转换器等领域。IXTH96N30 具有低导通电阻、高耐压能力以及优异的热性能，适用于高效率和高可靠性的功率系统设计。

参数

类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　最大漏源电压 Vds：300 V
　　最大漏极电流 Id：96 A
　　导通电阻 Rds(on)：最大 27 mΩ（典型值 22 mΩ）
　　栅极阈值电压 Vgs(th)：2.5 ~ 4.5 V
　　最大功耗 Pd：400 W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：TO-247

特性

IXTH96N30 MOSFET 的主要特性之一是其极低的导通电阻，典型值为 22 mΩ，这显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了系统效率。该器件的漏源电压额定值为 300 V，漏极电流可达 96 A，能够承受较大的瞬时功率负载。
　　此外，IXTH96N30 采用了先进的沟槽栅极技术和超结结构，使得其在高频开关应用中表现出色，具有较低的开关损耗和良好的热稳定性。其 TO-247 封装形式具备良好的散热性能，适用于高功率密度设计。
　　该 MOSFET 还具有较强的抗雪崩能力和较高的可靠性，适合在严苛的工业环境中使用。此外，其栅极驱动电压范围为 4.5V 至 20V，兼容标准的 MOSFET 驱动电路，便于集成到各种功率系统中。

应用

IXTH96N30 MOSFET 主要应用于高功率 DC-DC 转换器、逆变器、电机驱动、电池充电器、焊接设备、不间断电源（UPS）、工业自动化设备以及电动和混合动力汽车中的功率管理系统。
　　在电动车辆中，该器件可用于主逆变器或车载充电器，以实现高效率的电能转换。在工业电源系统中，IXTH96N30 可作为功率开关，用于构建高效率的电源模块。此外，在太阳能逆变器和储能系统中，该 MOSFET 可用于实现高效率的 DC-AC 转换，提高整体系统的能量利用率。
　　由于其高可靠性和优异的热管理性能，IXTH96N30 也常用于需要长时间稳定运行的工业设备和自动化控制系统中。