时间：2025/8/6 2:01:31
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IXTH94N20X4是一种N沟道增强型功率MOSFET，由IXYS公司生产。该器件设计用于高电流和高功率应用，具有出色的热性能和耐用性，适用于电源管理和电机控制等领域。
类型：N沟道
漏源电压(Vds)：200V
栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：94A
功耗(Pd)：300W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TO-247
导通电阻(Rds On)：最大值23mΩ
阈值电压(Vgs(th))：4V
输入电容(Ciss)：4000pF
反向恢复时间(trr)：快速
技术：MOSFET
IXTH94N20X4具有高耐压和大电流能力，适用于要求高可靠性和高效率的功率转换应用。该器件采用了先进的平面技术，提供较低的导通电阻，从而减少导通损耗并提高效率。其封装设计优化了散热性能，使得在高负载条件下依然能够保持较低的温度。
此外，IXTH94N20X4具备快速开关特性，能够适应高频操作，这对于减少开关损耗和提高系统效率至关重要。其高dv/dt能力和雪崩能量耐受性进一步增强了器件的稳定性和可靠性，适用于严苛的工作环境。
IXTH94N20X4广泛应用于电源管理系统、DC-DC转换器、电机控制器、电池充电器以及工业自动化设备中。此外，该器件也适用于高功率音频放大器和太阳能逆变器等需要高效功率管理的场合。
IXTH94N20X4-ND, IXTH94N20X4STP, IXTH94N20X4D
