时间：2025/7/15 17:53:31
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IXTH88N30P是一款由Littelfuse（原IXYS公司）生产的高功率N沟道MOSFET晶体管，广泛用于需要高电流和高压能力的功率电子应用。该器件采用了先进的平面DMOS技术，具有低导通电阻、高开关速度以及良好的热稳定性。IXTH88N30P采用TO-247封装形式，适用于各种工业控制、电源转换系统以及电机驱动等场合。
类型：N沟道MOSFET
漏极-源极电压(Vds)：300V
栅极-源极电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：88A
导通电阻(Rds(on))：最大值5.5mΩ @ Vgs=10V
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：TO-247
IXTH88N30P MOSFET具有非常低的导通电阻（Rds(on)），这有助于减少在高电流下的功率损耗，提高效率。
其设计支持高达300V的漏极-源极电压，适用于多种中高电压应用环境。
该器件具备出色的热管理和高耐久性，能够在极端条件下稳定运行。
MOSFET的快速开关特性使其非常适合高频操作，从而减小了外部滤波器组件的尺寸并提高了整体系统性能。
此外，IXTH88N30P还内置了防静电保护功能，增强了器件在装配过程中的可靠性。
IXTH88N30P常用于直流-直流转换器、逆变器及其它类型的电源管理系统中。
它也适合用作电动车辆或工业设备中的电机控制器开关元件。
由于其强大的电流承载能力和高效的能量传输特点，在不间断电源(UPS)、太阳能光伏逆变器等领域也有广泛应用。
另外，这款MOSFET还被应用于焊接机、充电站等大功率电器产品里。
IXFN90N60P, IXTP88N30P
