时间：2025/8/6 7:08:02
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IXTH82N25是一款高功率晶体管，属于MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）类型，由Littelfuse公司制造。这款晶体管设计用于高电流、高电压的应用场景，能够提供出色的性能和可靠性。IXTH82N25采用TO-247封装，适合需要高效能和紧凑设计的电力电子设备。该器件的导通电阻较低，能够在高负载条件下保持较低的功率损耗，从而提高整体系统的效率。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：82A
最大漏源电压（VDS）：250V
导通电阻（RDS(on)）：约0.045Ω（典型值）
最大功率耗散（PD）：约250W
工作温度范围：-55°C至+175°C
封装形式：TO-247
IXTH82N25具有多种优异的电气和机械特性，确保其在各种应用中的稳定性和可靠性。首先，其低导通电阻使其在高电流应用中表现出色，减少了导通状态下的功率损耗，提高了系统的整体效率。其次，该器件的高电压能力使其适用于高压电源转换和电机控制应用。此外，IXTH82N25具备良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定工作。TO-247封装不仅提供了良好的散热性能，还确保了在高功率条件下的机械稳定性。最后，该器件具有较高的短路耐受能力，可以在异常工作条件下提供额外的安全保障。
IXTH82N25广泛应用于需要高功率和高可靠性的电子设备中。常见的应用包括电源供应器、电机驱动器、逆变器、UPS（不间断电源）、工业自动化控制系统以及电动汽车充电设备等。在这些应用中，IXTH82N25能够提供高效的功率转换和稳定的性能，满足复杂电子系统的需求。
IXFH82N25
