IXTH75N15 时间：2025/12/24 17:23:42 阅读：11

IXTH75N15是一种高功率晶体管，属于MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）类别，由Littelfuse公司生产。该晶体管专为高效率、高可靠性的应用设计，适用于电源管理和功率转换系统。IXTH75N15采用先进的沟槽式MOSFET技术，提供出色的导通性能和较低的开关损耗，使其成为许多高功率应用的理想选择。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流：75A
　　最大漏源电压：150V
　　最大栅源电压：20V
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值为0.024Ω
　　最大功率耗散：300W
　　工作温度范围：-55°C至+175°C

特性

IXTH75N15具有多个显著的技术特性，使其在高功率应用中表现出色。首先，其低导通电阻（Rds(on)）确保在高电流条件下，器件的功率损耗最小化，从而提高整体系统效率。此外，该晶体管具有高耐压能力，漏源电压可达150V，适用于多种电压等级的电源设计。
　　IXTH75N15的封装设计优化了散热性能，通常采用TO-247封装形式，具有良好的热管理和机械稳定性。这使得器件能够在高功率负载下保持稳定运行，并减少因过热导致的性能下降或故障风险。
　　该晶体管的栅极驱动特性也非常出色，栅源电压范围宽，允许使用多种驱动电路进行控制。这种灵活性使其适用于各种功率转换拓扑结构，如DC-DC转换器、AC-DC电源、电机驱动器和逆变器等。
　　此外，IXTH75N15具备良好的抗短路能力和过载保护功能，能够在极端工作条件下提供更高的可靠性和耐用性。这种特性对于需要高稳定性和安全性的工业和汽车应用尤为重要。

应用

IXTH75N15广泛应用于多个领域，包括电源供应器、工业自动化设备、不间断电源（UPS）、电机驱动器以及汽车电子系统。它特别适用于需要高效率和高可靠性的开关电源（SMPS）设计，如服务器电源、电信设备电源和太阳能逆变器等。
　　在电动汽车（EV）和混合动力汽车（HEV）中，IXTH75N15可用于车载充电器、DC-DC转换器和电机控制模块。其高耐压和低导通电阻特性使其能够在高功率密度设计中提供优异的性能。
　　该晶体管也适用于工业自动化和控制设备，如变频器、伺服驱动器和机器人控制系统。在这些应用中，IXTH75N15能够提供稳定的功率输出，并在高负载条件下保持良好的热管理。