类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电压(Vds)：80V
　　最大栅极电压(Vgs)：±20V
　　最大连续漏极电流(Id)：75A
　　导通电阻(RDS(on))：最大值为13毫欧（典型值可能更低）
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　封装形式：TO-247

IXTH75N08具备一系列优秀的电气和物理特性。首先，其低导通电阻（RDS(on)）显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了系统的整体效率。其次，该MOSFET采用先进的沟槽技术，提供更高的电流密度和更低的开关损耗，使其适用于高频开关应用。
　　此外，IXTH75N08的封装设计具备良好的热管理能力，TO-247封装能够有效地将热量传导至散热器，从而保证器件在高负载条件下稳定运行。该器件还具备出色的雪崩能量耐受能力，能够在突发的电压尖峰条件下保持可靠工作，提升系统的安全性和稳定性。
　　另一个显著特点是其栅极驱动兼容性，IXTH75N08可以在标准逻辑电平（如5V或10V）下有效导通，简化了驱动电路设计并降低了外围元件需求。此外，其高耐压能力和良好的短路耐受性使其在严苛的工业环境中表现优异。

IXTH75N08广泛应用于各种高功率密度和高效率的电力电子系统中。例如，在DC-DC转换器中，该器件的低RDS(on)和快速开关特性有助于提升转换效率并减小系统尺寸；在电机控制应用中，其高电流能力和快速响应特性可实现精确的转矩控制和高效能运行。
　　此外，该MOSFET还适用于太阳能逆变器、不间断电源（UPS）、电池管理系统（BMS）以及电动汽车充电系统等新能源领域。在工业自动化和伺服控制系统中，IXTH75N08也常用于功率开关和负载切换操作，提供稳定可靠的电气连接和断开能力。

IRF3205, STP75NF75, FDP75N08A