时间：2025/8/6 7:37:22
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IXTH72N30T是一款由Littelfuse（原IXYS公司）生产的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高功率和高频率的开关应用。该器件采用TO-247封装形式，具备低导通电阻、高开关速度以及良好的热性能，适用于电源转换器、逆变器、马达控制以及工业自动化设备等领域。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：300V
栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：72A（在TC=100℃）
漏源导通电阻(Rds(on))：最大42mΩ（在Vgs=10V时）
栅极电荷(Qg)：约137nC
工作温度范围：-55℃至175℃
封装类型：TO-247
IXTH72N30T的主要特性包括低导通电阻（Rds(on)），这有助于减少功率损耗并提高整体效率。其高耐压能力（300V Vds）使其适用于中高压电源系统。该MOSFET的高栅极电荷（Qg）意味着它在高频开关应用中可能会产生一定的开关损耗，但其优异的热性能和可靠性仍可确保在高负载条件下稳定运行。
此外，该器件采用了先进的平面技术，确保了良好的导通和关断性能。其TO-247封装形式具有良好的散热能力，适用于需要高功率密度的设计。该MOSFET的栅极驱动电压范围为10V至20V，推荐在10V至15V之间使用，以实现最佳性能与可靠性。
该器件还具备良好的抗雪崩能力和短路耐受性，能够在极端工作条件下提供更高的稳定性和安全性，适用于工业、电源管理和可再生能源系统等要求较高的应用场景。
IXTH72N30T广泛应用于各种电力电子设备中，包括但不限于DC-DC转换器、AC-DC电源、UPS系统、太阳能逆变器、马达驱动器、电焊机以及工业自动化控制系统。由于其高电流能力和良好的热性能，它特别适合用于需要高效率和高可靠性的中高压电源转换场合。
IXTH72N30DH, IXTH72N30D, IXTP72N30T
