IXTH6N80A 时间：2025/7/25 21:14:43 阅读：4

IXTH6N80A是一款由Littelfuse（原IXYS公司）生产的高电压、高电流功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高功率开关和工业应用。该器件采用了先进的平面MOSFET技术，能够在高电压条件下提供优异的导通和开关性能，同时具备较高的耐用性和可靠性。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极-源极电压（VDS）：800V
　　最大漏极电流（ID）：6A
　　最大栅极-源极电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值为1.5Ω
　　功率耗散（PD）：125W
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装形式：TO-247

特性

IXTH6N80A具有多项关键特性，使其适用于各种高功率和高电压应用。首先，其800V的漏极-源极击穿电压使其能够在高压系统中稳定运行，如电源转换器、电机驱动和工业自动化设备。其次，该MOSFET具有较低的导通电阻（RDS(on)），有助于减少导通损耗，提高系统效率。此外，该器件的封装形式为TO-247，具备良好的散热性能，能够有效降低工作温度，延长器件寿命。其高栅极电压耐受能力（±20V）也提高了在复杂电磁环境中工作的稳定性。
　　另外，IXTH6N80A具有快速开关特性，可支持高频工作，从而减小外部无源元件的尺寸，提升整体系统功率密度。同时，该MOSFET具备良好的雪崩能量耐受能力，在瞬态过电压条件下仍能保持稳定运行，提高了系统的可靠性和安全性。综合这些特性，IXTH6N80A在高电压开关电源、逆变器、UPS系统和工业控制电路中均有广泛的应用潜力。

应用

IXTH6N80A广泛应用于需要高电压和高效率的功率电子系统中。典型应用场景包括AC/DC和DC/DC电源转换器、电机控制电路、工业变频器、不间断电源（UPS）、电焊设备、感应加热系统以及太阳能逆变器等。由于其高电压耐受能力和低导通损耗，该MOSFET也适用于需要高可靠性和长寿命的工业自动化设备和电源管理系统。此外，在电动汽车充电设备和储能系统中，IXTH6N80A也能发挥重要作用，为高效能、高稳定性电源转换提供关键支持。