时间：2025/8/5 20:03:59
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IXTH67N10MA 是由 Littelfuse（原 International Rectifier）生产的一款高功率 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高电压和高电流的应用场景。该器件采用 TO-247 封装形式，具备良好的导热性能，适合用于开关电源、逆变器、电机控制等高功率应用领域。
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏源电压（VDS）：100V
最大漏极电流（ID）：67A
导通电阻（RDS(on)）：最大 18mΩ
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
栅极电压（VGS）：±20V
封装形式：TO-247
IXTH67N10MA 的主要特性包括其极低的导通电阻（RDS(on)），这使得在大电流工作条件下，器件的功率损耗大大降低，从而提高了系统的整体效率。
此外，该 MOSFET 具备较高的热稳定性，能够在高温环境下稳定工作，适合高功率密度设计。
其 TO-247 封装形式提供了良好的散热性能，便于安装在散热片上，适用于需要高可靠性和高耐久性的工业应用。
该器件还具备较高的开关速度，适用于高频开关电源和 DC-DC 转换器，有助于减小外部滤波元件的体积，提高系统的响应速度。
此外，IXTH67N10MA 还具有较强的抗雪崩能力，能够在负载突变或短路等异常条件下提供一定的保护功能。
IXTH67N10MA 主要应用于高功率开关电源（SMPS）、不间断电源（UPS）、逆变器、电机驱动和控制电路、DC-DC 转换器、焊接设备、太阳能逆变器以及工业自动化系统等领域。
由于其低导通电阻和高电流能力，该器件特别适合用于需要高效能和高可靠性的电源转换系统。
此外，该 MOSFET 也可用于电动车充电器、储能系统和大功率 LED 驱动器等新兴应用领域。
IXTH67N10MH1, IXTP67N10MA
