IXTH67N08MA 时间：2025/8/5 19:51:46 阅读：13

IXTH67N08MA是一款由Littelfuse（原IXYS公司）制造的N沟道增强型功率MOSFET。该器件专为高功率、高效率应用设计，适用于工业控制、电源管理、开关电源（SMPS）以及电机驱动系统等领域。其主要特点是具有较低的导通电阻（Rds(on)）和快速的开关性能，能够在高频率下工作，从而减少开关损耗，提高整体系统效率。IXTH67N08MA采用TO-247封装，具有良好的散热能力，适用于高功率密度设计。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：67A
　　漏源极电压（VDS）：80V
　　栅源极电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：最大10.8mΩ（在VGS=10V时）
　　最大功耗（PD）：250W
　　工作温度范围：-55°C 至 175°C
　　封装形式：TO-247

特性

IXTH67N08MA采用了先进的沟槽式MOSFET技术，确保了低导通电阻与高电流处理能力。其Rds(on)典型值仅为10.8mΩ，有助于降低导通损耗，提高能效。此外，该MOSFET具有快速的开关速度，能够支持高频开关应用，从而减小电源系统的体积和重量。器件内部设计有优化的体二极管，可提供快速恢复特性，适用于硬开关和软开关拓扑结构。
　　在热管理方面，TO-247封装具备良好的散热性能，有助于在高负载条件下保持稳定的工作温度。此外，该MOSFET具有高雪崩耐量和抗短路能力，增强了器件在极端工作条件下的可靠性和耐用性。其栅极驱动电压范围为±20V，适用于多种驱动电路设计，且在10V驱动电压下即可实现完全导通，兼容标准MOSFET驱动器。
　　该器件还具有低门极电荷（Qg）和输出电荷（Qoss），有助于减少驱动损耗和提高开关效率。其动态性能适用于多种拓扑结构，如降压（Buck）、升压（Boost）、半桥和全桥等，广泛应用于电源转换器、电机控制器、不间断电源（UPS）和电焊设备等领域。

应用

IXTH67N08MA主要用于高功率密度的电力电子系统中，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动器、工业自动化控制系统、不间断电源（UPS）以及电焊机等设备。由于其具备低导通电阻、高电流能力和快速开关特性，该MOSFET特别适用于需要高效率和高性能的功率转换应用。在电机控制领域，该器件可用于实现高效变频器和伺服驱动系统；在电源系统中，则可用于构建高效能的同步整流电路和负载开关。