IXTH62N25 时间：2025/8/6 8:17:08 阅读：36

IXTH62N25是一款由Littelfuse（原IXYS公司）制造的高功率N沟道增强型MOSFET晶体管，广泛用于高功率应用领域，如开关电源、逆变器、电动工具、工业控制系统和电机驱动等。该MOSFET采用TO-247封装，具有低导通电阻（Rds(on)）和高电流承载能力的特点，适用于需要高效能和高可靠性的电力电子设备。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏极电流（ID）：62A
　　漏源极击穿电压（VDS）：250V
　　栅源极电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：最大0.045Ω
　　工作温度范围：-55°C至+175°C
　　封装类型：TO-247

特性

IXTH62N25具有低导通电阻（Rds(on)）特性，这使得在高电流流经MOSFET时，功耗大幅降低，从而提高系统效率。其Rds(on)最大值为0.045Ω，远低于同类产品，减少了在高功率应用中的热损耗。
　　此外，该器件具有高电流承载能力，连续漏极电流可达62A，能够在高负载条件下稳定工作，适用于高功率密度设计。
　　在电压耐受方面，IXTH62N25的漏源极击穿电压（VDS）为250V，能够在中高电压系统中可靠运行，适用于多种电源转换电路，如DC-DC转换器、逆变器和电机控制器。
　　该MOSFET还具备高栅极电压耐受能力，允许±20V的栅源电压，增加了在复杂控制电路中的适用性和灵活性。
　　其TO-247封装不仅提供了良好的热管理能力，还便于安装在散热器上，有助于在高功率应用中保持稳定的温度控制，从而提升整体系统的可靠性和寿命。

应用

IXTH62N25广泛应用于各种高功率电子系统中，包括工业电源、UPS不间断电源、太阳能逆变器、电动汽车充电设备和电机控制模块。
　　在开关电源（SMPS）设计中，该MOSFET常用于高频开关拓扑结构，如半桥、全桥和同步整流电路，其低导通电阻和高效率特性有助于提高电源转换效率并降低发热。
　　在可再生能源系统中，如太阳能逆变器和风能转换装置，IXTH62N25常用于直流到交流的功率转换环节，其高耐压和高电流能力确保系统在恶劣环境下稳定运行。
　　此外，该器件也适用于电机驱动和电动工具控制电路，作为功率开关使用，能够承受较大的瞬时电流和反向电动势冲击，提高系统耐用性。
　　在电动车充电系统中，该MOSFET可用于车载充电器（OBC）和直流充电桩模块，其优异的热稳定性和高可靠性使其成为高功率充电应用的理想选择。