IXTH60N30T 时间：2025/8/6 6:58:00 阅读：27

IXTH60N30T 是由 Littelfuse（原 International Rectifier）生产的一款高功率 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件设计用于高电流和高电压的功率转换应用，如开关电源（SMPS）、电机控制、逆变器和 DC-DC 转换器等。IXTH60N30T 具有低导通电阻（Rds(on)）和高耐用性，适合在高温和高负载条件下运行。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：300 V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20 V
　　最大连续漏极电流（Id）：60 A（在25°C时）
　　最大导通电阻（Rds(on)）：0.065 Ω（最大值，典型值0.055 Ω）
　　功率耗散（Ptot）：200 W
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装类型：TO-247

特性

IXTH60N30T 的主要特性之一是其低导通电阻，这使得在高电流应用中能够显著降低功率损耗并提高效率。该器件采用先进的平面技术制造，具有良好的热稳定性和高耐用性。此外，IXTH60N30T 的栅极驱动设计兼容标准逻辑电平，使得其能够与多种控制器和驱动电路直接连接，无需额外的电平转换器。
　　该 MOSFET 还具备良好的雪崩能量耐受能力，能够在瞬态电压过高的情况下保持稳定运行。这种特性对于保护电路在电感负载切换过程中可能出现的电压尖峰非常重要。此外，IXTH60N30T 在高温环境下的性能保持稳定，使其适用于散热条件受限的应用场景。
　　封装方面，IXTH60N30T 使用 TO-247 封装，这种封装形式具有良好的热导性和机械稳定性，适用于需要高效散热的高功率应用。

应用

IXTH60N30T 主要用于各种功率电子系统中，特别是在高电压和高电流条件下运行的应用。常见的应用包括工业开关电源、DC-DC 转换器、不间断电源（UPS）、逆变器、电机驱动器和电焊设备。由于其高可靠性和良好的热性能，IXTH60N30T 也常用于汽车电子系统和可再生能源系统（如太阳能逆变器）中。
　　在电机控制应用中，该器件能够提供高效的功率切换，减少能量损耗并提高整体系统效率。在开关电源中，IXTH60N30T 的低 Rds(on) 和高耐压特性使其成为理想的主开关元件。此外，在电池管理系统（BMS）和充电器设计中，该 MOSFET 也常用于实现高效率的功率传输。