时间：2025/8/6 8:38:50
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IXTH60N10是一款由Littelfuse（原IXYS公司）生产的N沟道增强型功率MOSFET。该器件设计用于高效率、高频率的功率转换应用，具有低导通电阻、高耐压和优良的热稳定性。该MOSFET采用TO-247封装，适用于工业电源、DC-DC转换器、电机驱动和UPS系统等高功率应用。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压(Vds)：100V
栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：60A（在Tc=25°C时）
导通电阻(Rds(on))：最大值为18mΩ（典型值14mΩ）
功率耗散(Pd)：200W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装形式：TO-247
IXTH60N10具备多项高性能特性。首先，其低导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通损耗，有助于提高电源转换效率，适用于高频率开关应用。其次，该MOSFET的100V漏源电压额定值使其适用于中高压功率转换场景，如工业电源和DC-DC转换器。
此外，该器件具有较高的连续漏极电流能力（60A），可在高负载条件下稳定运行。其封装形式为TO-247，具备良好的散热性能，适合高功率密度设计。
IXTH60N10采用了先进的沟槽栅技术，提升了器件的开关速度和热稳定性。其±20V的栅源电压耐受能力也增强了栅极驱动的可靠性，使其兼容多种驱动电路。
在热管理方面，该MOSFET具有较高的热阻（Rth）性能，能够在高温环境下保持良好的热稳定性，延长器件寿命。这些特性使得IXTH60N10在高频率开关电源、电机控制、电池管理系统和不间断电源（UPS）系统中表现出色。
IXTH60N10广泛应用于各种高功率和高频率的电力电子设备中。常见的应用包括工业电源、DC-DC转换器、AC-DC整流器、电机驱动器、UPS不间断电源以及太阳能逆变器。由于其低导通电阻和高电流能力，该器件在需要高效能和高稳定性的电源管理系统中表现优异。
在电机控制应用中，IXTH60N10可以作为功率开关，实现对直流电机或无刷电机的高效控制。在电池管理系统中，该MOSFET可用于电池充放电回路的开关控制，提升系统的能量利用效率。
此外，IXTH60N10也适用于高功率LED驱动电源、电信电源模块和服务器电源系统等领域，为现代电力电子设备提供稳定可靠的功率控制解决方案。
IRF1405, STP60NF10, FDP6030L
