类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：200V
　　最大栅源电压(Vgs)：±20V
　　最大连续漏极电流(Id)：50A @25℃
　　导通电阻(Rds(on))：0.065Ω（最大）
　　功率耗散(Pd)：300W
　　工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　封装形式：TO-247

IXTH50N20A具有多项优异特性，首先其低导通电阻（Rds(on)）确保了在高电流条件下具有较低的导通损耗，从而提高系统效率。此外，该器件具备高dv/dt能力，能够在高频开关条件下稳定工作，减少电磁干扰（EMI）。其高雪崩能量能力确保在过压或负载突变情况下仍能保持稳定运行，提高了系统的可靠性。TO-247封装提供了良好的散热性能和机械稳定性，适用于大功率应用。此外，该MOSFET具备快速恢复体二极管，有助于在同步整流和H桥电路中实现更高的转换效率。这些特性共同使其成为工业控制、电源转换和可再生能源系统中的理想选择。
　　IXTH50N20A的栅极驱动设计兼容标准逻辑电平，便于与各种控制器或驱动IC配合使用。同时，其高耐压能力（200V）使得该器件适用于中高压直流系统，如电动车辆充电系统、储能系统等。该MOSFET还具备良好的并联能力，可在多管并联使用时保持均衡电流分配，进一步提升系统容量和冗余能力。

IXTH50N20A广泛应用于各类高功率电子系统中，包括工业电源、开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、UPS不间断电源、逆变器、电机驱动器、太阳能光伏逆变器、储能系统以及电动车充电设备等。其优异的性能和高可靠性使其成为许多高性能功率电子设备中的核心开关元件。

IXFN50N20A, IXFH50N20A, FCP50N20A