类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：50A
　　最大漏-源电压（VDS）：150V
　　最大栅-源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值为0.044Ω
　　封装类型：TO-247
　　工作温度范围：-55°C至+175°C

IXTH50N15具备低导通电阻的特点，这使得它在高电流工作条件下能够降低功耗并减少发热。此外，该MOSFET具有快速开关特性，有助于提高电路的效率并减少开关损耗。其高耐压能力（150V）使其适用于多种高压应用环境。器件的封装形式为TO-247，这种封装设计有助于有效散热，同时便于安装在散热片上，以应对高功率应用中的热管理需求。
　　该器件还具备良好的短路耐受能力，能够在短时间内承受较高的电流冲击，而不会造成永久性损坏。这一特性使其在电源管理和电机控制等应用中具有更高的可靠性。此外，IXTH50N15的栅极驱动电压范围较宽（±20V），能够适应多种驱动电路设计，提高系统的灵活性。
　　另一个显著特性是其优异的热稳定性，IXTH50N15能够在高温环境下稳定工作，确保在极端条件下依然保持良好的性能。这种特性对于工业控制、电源转换以及汽车电子等应用尤为重要。

IXTH50N15适用于多种高功率电子系统，例如DC-DC转换器、电机驱动器、逆变器、不间断电源（UPS）、电池管理系统（BMS）以及工业自动化设备中的功率控制电路。在汽车电子领域，该器件可用于电动汽车（EV）和混合动力汽车（HEV）的电力驱动系统和充电模块。此外，它也可用于太阳能逆变器和储能系统中的功率转换环节。

IRF540N, FDP55N15, STP55NF15