IXTH50N10A 时间：2025/8/5 18:25:08 阅读：28

IXTH50N10A是一款由IXYS公司制造的N沟道增强型功率MOSFET晶体管，广泛应用于需要高效率和高可靠性的开关电源、DC-DC转换器、电机控制以及各种功率电子设备中。这款MOSFET具备高耐压、低导通电阻和快速开关特性，适合在高频条件下运行。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（VDS）：100V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　漏极电流（ID）：50A
　　导通电阻（RDS(on)）：最大值40mΩ
　　功率耗散（PD）：200W
　　工作温度范围：-55°C至+175°C
　　封装类型：TO-247AC

特性

IXTH50N10A具有极低的导通电阻，这减少了导通状态下的功率损耗，提高了系统效率。
　　该器件的高耐压能力（100V）使其能够在较宽的电压范围内稳定工作。
　　采用TO-247AC封装，提供良好的散热性能，适用于高功率应用。
　　其快速开关特性降低了开关损耗，支持高频操作，提高了系统的响应速度和效率。
　　内置的温度保护和过载保护功能增强了器件的可靠性，延长了使用寿命。
　　此外，IXTH50N10A的栅极驱动要求较低，简化了驱动电路的设计，降低了系统成本。

应用

IXTH50N10A常用于各种高功率电子设备中，如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、UPS不间断电源、逆变器、电机驱动和控制电路。
　　在汽车电子系统中，这款MOSFET可用于电池管理系统、车载充电器以及电动车辆的驱动控制系统。
　　此外，它还广泛应用于工业自动化设备、电源管理模块和太阳能逆变器等场合。
　　由于其出色的性能和可靠性，IXTH50N10A也适用于对稳定性和效率有严格要求的高端消费电子产品。