时间：2025/8/6 11:59:15
阅读：12
IXTH48N65X2是一款由Littelfuse（原IXYS公司）制造的高功率N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高效率电源转换应用而设计。该器件采用TO-247封装形式，适用于需要高电流和高电压处理能力的工业级电源设备，如开关电源（SMPS）、逆变器、电机驱动和焊接设备等。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：48A（Tc=25°C）
最大漏源电压（VDS）：650V
最大栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：典型值为0.115Ω（最大0.145Ω）
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装：TO-247
IXTH48N65X2具备低导通电阻（RDS(on)），这有助于降低导通损耗并提高整体系统效率。其高击穿电压（650V）使其适用于各种高压应用，同时具备良好的热稳定性和可靠性。该器件还具有快速开关特性，减少了开关损耗，适用于高频操作环境。此外，该MOSFET采用了先进的平面技术，确保了优异的短路耐受能力和热稳定性。
IXTH48N65X2的封装设计提供了良好的散热性能，适用于高功率密度设计。其栅极驱动要求适中，兼容常见的MOSFET驱动电路。该器件还具备出色的抗雪崩能力和抗过载能力，适合在严苛的工作环境下运行。由于其优异的电气和热性能，IXTH48N65X2在电源转换效率和系统稳定性方面表现出色。
IXTH48N65X2广泛应用于各类高功率电源设备中，包括但不限于开关电源（SMPS）、不间断电源（UPS）、逆变器、电机控制和驱动器、电焊机、工业加热设备以及太阳能逆变器等。该器件适用于需要高电压和高电流能力的系统，尤其在要求高效率和可靠性的场合表现出色。
IXFH48N65X2, IXTH52N65X2, IRFP4865, FDPF4865, STY48N65M5
