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IXTH44N30T 发布时间 时间:2025/8/6 4:57:55 查看 阅读:6

IXTH44N30T是一款由Littelfuse(前身为IXYS Corporation)制造的高功率MOSFET晶体管,属于N沟道增强型场效应晶体管。该器件设计用于高电流和高电压应用,例如电源转换器、电机控制、UPS系统以及工业和汽车电子系统。IXTH44N30T采用了先进的平面MOSFET技术,提供了较低的导通电阻和快速的开关特性,适用于需要高效能和高可靠性的应用环境。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(VDS):300V
  栅源电压(VGS):±20V
  漏极电流(ID)@25°C:44A
  导通电阻(RDS(on)):最大0.055Ω
  工作温度范围:-55°C至+175°C
  封装类型:TO-247

特性

IXTH44N30T具备多项优良的电气和物理特性,使其在高性能功率应用中表现出色。首先,该MOSFET具有较低的导通电阻(RDS(on)),典型值为0.055Ω,这有助于降低导通损耗,提高系统效率。此外,该器件能够承受高达300V的漏源电压(VDS),适用于中高电压系统的功率转换需求。
  其次,IXTH44N30T支持高达44A的连续漏极电流,在高功率负载下仍能保持稳定运行。其快速开关特性减少了开关损耗,提高了整体系统的响应速度和效率。此外,该器件的工作温度范围为-55°C至+175°C,确保其在极端环境条件下仍能保持稳定性能,适用于汽车、工业和能源管理系统等严苛应用场景。
  在封装方面,IXTH44N30T采用TO-247封装,具备良好的散热能力,适用于需要高效散热的高功率密度设计。同时,该封装形式便于安装在散热片上,从而进一步提高热管理效率,延长器件寿命。综合来看,IXTH44N30T是一款高可靠性和高性能的功率MOSFET,适用于多种工业和汽车电子应用。

应用

IXTH44N30T广泛应用于需要高功率密度和高效率的电力电子系统中。常见的应用包括DC-DC转换器、AC-DC电源供应器、不间断电源(UPS)、电机驱动器、逆变器、电池管理系统(BMS)以及新能源系统(如太阳能逆变器和电动车充电系统)。此外,该MOSFET也常用于工业自动化设备中的功率控制电路,如伺服驱动器和工业机器人控制系统。
  在汽车电子领域,IXTH44N30T可用于电动车(EV)和混合动力车(HEV)中的电能转换系统,例如车载充电器(OBC)和电机控制器。其高耐压和大电流能力使其成为这些高要求应用中的理想选择。此外,该器件还可用于LED照明驱动、高频开关电源等消费类和商业电子产品中,提供稳定的功率控制和高效能表现。

替代型号

IXTH44N30DH1

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IXTH44N30T参数

  • 标准包装30
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)300V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C44A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C-
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)-
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs-
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds-
  • 功率 - 最大-
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-247-3
  • 供应商设备封装TO-247
  • 包装管件