IXTH42N20MB 时间：2025/8/22 21:47:37 阅读：11

IXTH42N20MB是一款由Littelfuse（原IXYS公司）生产的高功率MOSFET晶体管，属于该公司高性能功率半导体产品线的一部分。该器件设计用于高效率电源转换、电机控制、逆变器、不间断电源（UPS）以及工业自动化等应用。IXTH42N20MB采用TO-264封装，具有较高的电流承载能力和较低的导通电阻，适用于需要高可靠性和高性能的工业和汽车电子系统。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(VDS)：200V
　　连续漏极电流(ID)：42A（Tc=25℃）
　　脉冲漏极电流(IDM)：160A
　　栅源电压(VGS)：±20V
　　功耗(PD)：300W
　　工作温度范围：-55℃~150℃
　　封装形式：TO-264
　　导通电阻(RDS(on))：典型值0.045Ω（最大0.058Ω）
　　阈值电压(VGS(th))：2.1V~4.0V

特性

IXTH42N20MB采用了先进的平面沟槽栅技术，提供了优异的导通性能和开关特性，同时具有较低的RDS(on)，能够显著降低导通损耗，提高系统效率。该器件的TO-264封装具备良好的热管理和机械强度，适用于高温环境下的稳定运行。此外，该MOSFET具有较高的雪崩能量承受能力，增强了器件在突发过压或感性负载切换情况下的可靠性。
　　在开关性能方面，IXTH42N20MB具备快速的开关响应时间，降低了开关损耗，并提高了整体系统效率，适合用于高频开关电源和DC-DC变换器。其栅极设计优化了驱动要求，使得该器件能够与标准的MOSFET驱动器兼容，降低了驱动电路的复杂性和成本。
　　该MOSFET还具有良好的并联能力，适用于需要多个器件并联以提升电流能力的高功率应用场合，如电机驱动和大功率逆变器。此外，其宽泛的工作温度范围确保了在极端环境下的稳定运行，适用于工业控制、汽车电子和新能源系统等对可靠性要求极高的场景。

应用

IXTH42N20MB广泛应用于高功率开关电源（如服务器电源、通信电源）、DC-DC转换器、UPS不间断电源系统、电机驱动与控制、工业自动化设备、太阳能逆变器以及电动汽车充电模块等。由于其优异的导通和开关性能，特别适合用于高频功率转换系统。此外，在需要高可靠性和高温稳定性的工业和汽车电子系统中，IXTH42N20MB也是一个理想的选择。