IXTH42N20A 时间：2025/8/5 18:21:12 阅读：24

IXTH42N20A 是一款由 Littelfuse（原 IXYS Corporation）制造的高功率 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），设计用于高电流、高电压的应用。该器件具有低导通电阻、高耐压能力以及良好的热稳定性，适用于电源转换、电机控制、逆变器、UPS 系统以及工业自动化设备等领域。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（VDS）：200V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　漏极电流（ID）：42A（连续）
　　功耗（PD）：320W
　　导通电阻（RDS(on)）：最大 0.055Ω
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：TO-247AC

特性

IXTH42N20A 的核心特性在于其卓越的导通性能和热管理能力。该器件采用先进的平面 MOSFET 技术，确保了在高电流条件下的稳定运行，并且其低导通电阻（RDS(on)）可显著降低导通损耗，提高系统效率。此外，该 MOSFET 具有高雪崩能量承受能力，能够在突发电压或负载突变的情况下保持稳定运行，从而提高整体系统的可靠性。
　　该器件还具有良好的栅极驱动特性，支持快速开关操作，适用于高频开关电源和 DC-DC 转换器等应用。其 TO-247AC 封装形式具备良好的散热性能，便于安装在散热器上，有助于提高器件在高功率应用中的长期稳定性。
　　此外，IXTH42N20A 还具备出色的短路耐受能力，可在短时间内承受较大的电流冲击而不损坏，适用于对可靠性和稳定性要求较高的工业和汽车电子系统。