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IXTH3N200P3HV 发布时间 时间:2025/8/6 1:22:43 查看 阅读:10

IXTH3N200P3HV是一款由Littelfuse公司生产的3引脚TO-247封装的高性能可控硅整流器(SCR)。该器件主要用于需要高电压和大电流处理能力的电力电子应用中。SCR(可控硅)是一种四层三结的半导体器件,具有在高电压下保持关断状态,并在触发电流下导通的能力。IXTH3N200P3HV特别适用于需要高可靠性和稳定性的工业控制、电力调节、电机控制和电源系统等领域。

参数

最大重复峰值电压 VRRM:2000 V
  最大平均通态电流 ITAV:3 A
  最大通态电流 ITSM:50 A
  门极触发电流 IG:150 μA
  门极触发电压 VG:1.5 V
  最大门极非触发电流 IGD:10 μA
  最大断态漏电流 IDRM:10 μA
  最大通态电压 VTM:1.8 V
  工作温度范围:-40°C 至 +125°C

特性

IXTH3N200P3HV具有优异的电气特性和稳定性,能够在恶劣的电气环境下可靠运行。其主要特性包括:
  1. 高电压阻断能力:该SCR的重复峰值电压可达2000V,使其适用于高电压应用,如高压电源控制和工业设备的过压保护电路。
  2. 高电流承受能力:虽然该器件的平均通态电流为3A,但在短时间脉冲条件下,其可承受高达50A的通态电流,适用于需要瞬态高电流负载的场合。
  3. 低门极触发电流:IXTH3N200P3HV的门极触发电流仅为150μA,这意味着它可以通过较低的控制电流实现导通,适合用于低功耗控制系统。
  4. 极低的断态漏电流:在关断状态下,该SCR的漏电流仅为10μA,有助于减少不必要的功率损耗并提高系统能效。
  5. 宽温度适应范围:该器件可在-40°C至+125°C的温度范围内稳定工作,适合在极端环境条件下运行,如工业自动化设备、户外电力系统等。
  6. 高抗干扰能力:IXTH3N200P3HV在设计上优化了抗干扰能力,使其在复杂的电磁环境中仍能保持稳定的开关性能。
  7. 封装设计:采用TO-247封装,提供了良好的散热性能和机械强度,便于安装和散热管理。

应用

IXTH3N200P3HV广泛应用于需要高电压和中等电流控制的电力电子系统中,常见的应用包括:
  1. 工业自动化控制:用于电机控制、电炉加热、电焊机等设备中的电源控制模块,实现对大功率负载的高效控制。
  2. 电力调节系统:用于交流电源调节器、稳压器等设备中,帮助实现精确的电压调节和保护功能。
  3. 电源保护电路:作为过压保护元件,用于防止电网中的瞬态过电压对敏感设备造成损害。
  4. 家用电器:用于高端家电产品中的电源控制部分,如智能空调、电热水器等。
  5. 电力电子变换器:用于交流-交流变换器、固态继电器等装置中,提供高效的开关控制能力。
  6. 可再生能源系统:在太阳能逆变器、风力发电控制系统中作为开关元件,用于调节能量传输和保护系统免受过载影响。
  7. 测试与测量设备:用于高电压测试设备中的可控开关,帮助实现精确的测试控制。

替代型号

TIC106D, BT151-650R, S8010F, MCR100-6

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IXTH3N200P3HV参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格1 : ¥260.76000管件
  • 系列Polar P3?
  • 包装管件
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)2000 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)3A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)8 欧姆 @ 1.5A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)70 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)1860 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)520W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型通孔
  • 供应商器件封装TO-247(IXTH)
  • 封装/外壳TO-247-3