时间：2025/8/6 5:09:43
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IXTH36N20T是一款由Littelfuse公司生产的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），具有高耐压、大电流和低导通电阻的特点，适用于多种高功率应用。该器件采用TO-247封装，便于散热和安装。IXTH36N20T在设计上优化了开关性能和导通损耗，适用于如电源转换器、电机控制、逆变器和工业自动化设备等应用场景。
类型：N沟道MOSFET
漏极-源极电压(Vds)：200V
栅极-源极电压(Vgs)：±30V
连续漏极电流(Id)：36A
导通电阻(Rds(on))：最大60mΩ
功率耗散(Pd)：200W
工作温度范围：-55°C至175°C
封装类型：TO-247
IXTH36N20T具有多项优异的电气和物理特性，使其在功率电子应用中表现出色。
首先，该MOSFET具备较高的漏极-源极击穿电压（200V），能够承受较大的电压应力，适用于高压环境下的操作。同时，其栅极-源极电压容限为±30V，提供了良好的栅极控制稳定性，防止过压损坏。
其次，该器件的连续漏极电流能力达到36A，能够支持较大的负载电流，适用于高功率密度的设计。其导通电阻最大仅为60mΩ，有助于降低导通损耗，提高系统效率，减少热量产生，从而提升整体能效。
此外，IXTH36N20T的功率耗散能力为200W，配合TO-247封装的良好散热性能，确保在高负载条件下仍能保持稳定运行。该器件的工作温度范围为-55°C至175°C，适应性强，适用于各种严苛环境下的工业和汽车应用。
在开关性能方面，该MOSFET具有快速开关响应能力，减少了开关损耗，提高了系统的工作频率和效率。其设计优化了寄生电容和开关时间，适用于高频开关电源、DC-DC转换器和电机控制等应用。
最后，TO-247封装形式不仅提供了良好的机械强度，还便于安装在散热器上，进一步提升散热效率，延长器件使用寿命。
IXTH36N20T广泛应用于需要高电压、大电流和高效能的电力电子系统中。
在电源管理系统中，该MOSFET适用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器和AC-DC整流器，提供高效的能量转换和稳定的输出电压。
在电机控制领域，IXTH36N20T可用于无刷直流电机（BLDC）驱动器、伺服电机控制器和电动工具，其高电流承载能力和快速开关特性有助于实现精确的电机调速和高效能运行。
在工业自动化和控制设备中，该器件可用于PLC（可编程逻辑控制器）、工业逆变器和变频器，支持高可靠性和高效率的电能转换。
此外，该MOSFET还可用于新能源系统，如太阳能逆变器、风能转换系统和储能设备，满足高电压和高功率应用的需求。
在汽车电子方面，IXTH36N20T适用于车载充电器、电动车辆的电机驱动系统和电池管理系统，支持高可靠性和高温工作环境下的稳定运行。
IRF3205, FDP36N20, STP36NF20, FQA36N20
