IXTH360N055T2是一款由Littelfuse公司生产的N沟道增强型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于高功率开关应用。这款MOSFET设计用于在高电压和高电流条件下工作,提供高效的开关性能和低导通电阻。它采用TO-247封装,适用于各种工业和汽车电子系统。
类型:N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vds):550V
最大漏极电流(Id):180A
最大导通电阻(Rds(on)):0.036Ω
最大栅极电压(Vgs):±20V
工作温度范围:-55°C至+175°C
封装类型:TO-247
IXTH360N055T2 MOSFET具有多个优良的电气特性,使其适用于高功率应用。其低导通电阻(Rds(on))为0.036Ω,有助于减少导通损耗并提高效率。该器件的最大漏极电流为180A,能够在高电流条件下稳定工作。此外,最大漏源电压为550V,使其适用于中高压应用。该MOSFET具有宽泛的工作温度范围(-55°C至+175°C),确保在各种环境条件下都能可靠运行。
该器件的封装形式为TO-247,这种封装提供了良好的散热性能,并且易于安装在散热片上,以进一步提高热管理能力。此外,TO-247封装具有良好的机械强度和电气绝缘性能,适合工业和汽车应用。
IXTH360N055T2 MOSFET还具有快速开关特性,能够减少开关损耗,提高系统效率。它的栅极驱动电压范围为±20V,允许使用标准的栅极驱动电路进行控制。此外,该器件具有高短路耐受能力,能够在瞬态过载条件下保持稳定运行。
该MOSFET的结构设计优化了电场分布,减少了热点效应,提高了器件的可靠性和寿命。同时,它具有低反向恢复电荷(Qrr),适用于高频开关应用。这些特性使得IXTH360N055T2成为高性能电源转换系统中的理想选择。
IXTH360N055T2广泛应用于多种高功率电子系统,包括工业电源、电动车辆(EV)充电器、不间断电源(UPS)、太阳能逆变器和电机驱动器。由于其高耐压和大电流能力,该器件非常适合用于需要高效能和高可靠性的场合。在电动车辆充电器中,该MOSFET可以用于主功率开关,提供高效的电能转换。在太阳能逆变器中,它可以用于DC-AC转换电路,提高系统的整体效率。此外,该器件还可用于电机驱动器中的H桥电路,控制电机的转速和方向。在工业电源中,该MOSFET可用于开关电源(SMPS)中的主开关元件,提供稳定的电源输出。
IXTH360N055T2的替代型号包括IXTH360N055T和IXFN360N055T。这些型号在电气特性和封装上相似,可以作为替代选择。