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IXTH360N055T2 发布时间 时间:2025/7/22 19:23:01 查看 阅读:13

IXTH360N055T2是一款由Littelfuse公司生产的N沟道增强型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于高功率开关应用。这款MOSFET设计用于在高电压和高电流条件下工作,提供高效的开关性能和低导通电阻。它采用TO-247封装,适用于各种工业和汽车电子系统。

参数

类型:N沟道增强型MOSFET
  最大漏源电压(Vds):550V
  最大漏极电流(Id):180A
  最大导通电阻(Rds(on)):0.036Ω
  最大栅极电压(Vgs):±20V
  工作温度范围:-55°C至+175°C
  封装类型:TO-247

特性

IXTH360N055T2 MOSFET具有多个优良的电气特性,使其适用于高功率应用。其低导通电阻(Rds(on))为0.036Ω,有助于减少导通损耗并提高效率。该器件的最大漏极电流为180A,能够在高电流条件下稳定工作。此外,最大漏源电压为550V,使其适用于中高压应用。该MOSFET具有宽泛的工作温度范围(-55°C至+175°C),确保在各种环境条件下都能可靠运行。
  该器件的封装形式为TO-247,这种封装提供了良好的散热性能,并且易于安装在散热片上,以进一步提高热管理能力。此外,TO-247封装具有良好的机械强度和电气绝缘性能,适合工业和汽车应用。
  IXTH360N055T2 MOSFET还具有快速开关特性,能够减少开关损耗,提高系统效率。它的栅极驱动电压范围为±20V,允许使用标准的栅极驱动电路进行控制。此外,该器件具有高短路耐受能力,能够在瞬态过载条件下保持稳定运行。
  该MOSFET的结构设计优化了电场分布,减少了热点效应,提高了器件的可靠性和寿命。同时,它具有低反向恢复电荷(Qrr),适用于高频开关应用。这些特性使得IXTH360N055T2成为高性能电源转换系统中的理想选择。

应用

IXTH360N055T2广泛应用于多种高功率电子系统,包括工业电源、电动车辆(EV)充电器、不间断电源(UPS)、太阳能逆变器和电机驱动器。由于其高耐压和大电流能力,该器件非常适合用于需要高效能和高可靠性的场合。在电动车辆充电器中,该MOSFET可以用于主功率开关,提供高效的电能转换。在太阳能逆变器中,它可以用于DC-AC转换电路,提高系统的整体效率。此外,该器件还可用于电机驱动器中的H桥电路,控制电机的转速和方向。在工业电源中,该MOSFET可用于开关电源(SMPS)中的主开关元件,提供稳定的电源输出。

替代型号

IXTH360N055T2的替代型号包括IXTH360N055T和IXFN360N055T。这些型号在电气特性和封装上相似,可以作为替代选择。

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IXTH360N055T2参数

  • 标准包装30
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列TrenchT2™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)55V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C360A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C2.4 毫欧 @ 100A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs330nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds20000pF @ 25V
  • 功率 - 最大935W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-247-3
  • 供应商设备封装TO-247
  • 包装管件