类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：300V
　　最大栅源电压(Vgs)：±20V
　　最大连续漏极电流(Id)：35A（在25°C时）
　　导通电阻(Rds(on))：约0.055Ω（典型值）
　　功耗(Pd)：200W
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装形式：TO-247

IXTH35N30A具有多个显著的性能特点。首先，其低导通电阻Rds(on)显著降低了导通状态下的功率损耗，从而提高了整体系统的效率。其次，该MOSFET采用了先进的平面技术，使其能够在高频条件下保持稳定的开关性能，适用于高频率的开关电源设计。
　　此外，IXTH35N30A具有良好的热稳定性和耐久性，能够在高功率密度环境下长时间运行而不会出现明显的性能退化。该器件的封装形式为TO-247，这种封装方式具有良好的散热能力，适合高功率应用。
　　该MOSFET的栅极驱动要求较低，通常只需要一个标准的10V至15V驱动电压即可实现完全导通，这使得其与常见的驱动IC兼容性良好。此外，其快速的开关速度（包括导通和关断时间）有助于减小开关损耗，从而进一步提升系统的整体能效。
　　IXTH35N30A还具备较强的过载和瞬态电压承受能力，能够应对复杂的工业和汽车电子环境中的电气波动。其内部结构设计优化了电磁干扰（EMI）性能，有助于减少外围滤波元件的需求，从而简化电路设计。

IXTH35N30A适用于多种高功率电子系统。在开关电源（SMPS）中，它被广泛用于PFC（功率因数校正）电路和DC-DC转换器，以实现高效能的能量转换。在电机控制领域，IXTH35N30A可用于驱动直流电机和步进电机，提供稳定可靠的功率输出。
　　该器件也常用于逆变器系统，例如太阳能逆变器和UPS（不间断电源）系统中，用于将直流电转换为交流电。此外，在电动汽车和充电桩系统中，IXTH35N30A可用于电池管理系统（BMS）中的功率开关控制。
　　由于其优异的热稳定性和高耐压能力，IXTH35N30A也适用于各种工业自动化设备中的高功率开关应用，如焊接设备、感应加热装置和高频电源模块。此外，它还可用于LED照明系统中的恒流驱动电路，以提高系统的能效和可靠性。

STP35NF30, IRF350, FDP35N30