IXTH35N30 时间：2025/8/6 7:08:49 阅读：12

IXTH35N30是一款由IXYS公司生产的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于需要高效功率转换和控制的应用中。该器件具有高击穿电压、低导通电阻以及良好的热稳定性和可靠性。其封装形式为TO-247，适合高功率密度设计。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：300V
　　最大漏极电流（ID）：35A
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：0.065Ω（最大）
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：TO-247

特性

IXTH35N30具备多项优异性能，首先，其高击穿电压能力（300V）使其适用于中高功率电源系统设计，如DC-DC转换器、开关电源（SMPS）和电机控制电路。其次，该MOSFET具有较低的导通电阻（RDS(on)）最大值为0.065Ω，从而减少了导通损耗，提高了能效。此外，该器件采用了先进的平面技术，提供了卓越的雪崩能量耐受能力，确保在极端工作条件下依然保持稳定运行。
　　在热性能方面，IXTH35N30具有优异的热阻特性，能够在较高温度下稳定工作，适用于高功率密度和高环境温度的应用场景。同时，该器件的栅极驱动设计兼容标准逻辑电平，便于与控制电路接口，降低了驱动电路的复杂性。
　　安全性和可靠性方面，IXTH35N30具备良好的短路和过载保护能力，适合用于需要高可靠性的工业和汽车电子系统。

应用

IXTH35N30常用于多种高功率电子系统中，包括但不限于：开关电源（SMPS）设计、DC-DC升压/降压转换器、逆变器、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、UPS（不间断电源）、太阳能逆变器以及工业自动化控制系统等。由于其高耐压、低导通电阻和优良的热稳定性，该MOSFET在高功率密度和高效率电源系统中表现出色。