类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：250V
　　最大漏极电流（Id）：35A
　　导通电阻（Rds(on)）：最大值为0.045Ω
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：2.0V 至 4.0V
　　最大栅极电压：±20V
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装形式：TO-247
　　功率耗散（Pd）：250W
　　输入电容（Ciss）：约1800pF
　　输出电容（Coss）：约350pF
　　反向恢复时间（trr）：约40ns

IXTH35N25MB具有多个关键特性，使其在高功率应用中表现出色。
　　首先，其低导通电阻（Rds(on)）确保了在高电流条件下的低功耗和高效率，这对于功率转换器和逆变器尤为重要。
　　其次，该MOSFET具备高耐压能力，最大漏源电压可达250V，适用于中高压应用，如DC-DC转换器和电机驱动器。
　　再者，TO-247封装提供了良好的散热性能，确保器件在高温环境下仍能稳定运行。
　　此外，该器件的栅极驱动要求较低，栅极阈值电压在2.0V至4.0V之间，能够兼容多种逻辑电平控制电路，如微控制器和PWM控制器。
　　IXTH35N25MB还具备较高的短路耐受能力，能够在极端条件下提供一定的保护，延长系统寿命。
　　最后，其快速开关特性（包括低输入/输出电容和短反向恢复时间）使其适用于高频开关应用，如谐振变换器和同步整流器，从而提高整体系统的效率和功率密度。

IXTH35N25MB广泛应用于多个高功率电子系统中。在电源管理领域，该MOSFET常用于高效DC-DC转换器、同步整流器和负载开关，以提升能量转换效率并减少热量产生。
　　在电机控制和驱动方面，IXTH35N25MB适用于无刷直流电机（BLDC）和步进电机的驱动电路，其高电流承载能力和快速开关特性有助于实现精准的电机控制。
　　在电动汽车（EV）和混合动力汽车（HEV）中，该MOSFET可用于车载充电器（OBC）、DC-AC逆变器以及电池管理系统（BMS），支持高效能和高可靠性的运行。
　　另外，IXTH35N25MB还适用于太阳能逆变器和储能系统，其中其高耐压和低导通电阻特性有助于提高能源转换效率，并在恶劣环境条件下保持稳定运行。
　　在工业自动化和智能电网系统中，该MOSFET可用于固态继电器（SSR）和高功率开关模块，提供快速响应和长寿命的电气隔离功能。

IXTH35N25B、IRFP460、STP35N25M5、FQA35N25