类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（Vds）：150V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：31A
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值为60mΩ（最大值为75mΩ）
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　封装形式：TO-247

IXTH31N15MB具备多项优异的电气和热性能特性。首先，其低导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通损耗，有助于提高电源系统的整体效率。其次，该MOSFET的最大漏源电压（Vds）可达150V，能够满足中高功率电源系统的设计需求。此外，该器件的栅极驱动电压范围为±20V，具有较强的抗电压波动能力，能够在复杂的电气环境中稳定工作。
　　在热性能方面，IXTH31N15MB的TO-247封装提供了良好的散热能力，使其在高电流工作条件下仍能维持较低的温升，延长器件寿命。该MOSFET的连续漏极电流可达31A，在短时间过载情况下也具备一定的耐受能力。同时，其宽广的工作温度范围（-55°C至175°C）使其适用于各种恶劣环境，如工业控制、汽车电子和户外电源系统等。
　　另外，该MOSFET还具备快速开关特性，能够有效减少开关损耗，提高系统的工作频率，适用于高频开关电源和DC-DC变换器等应用。其内部结构设计优化了电磁干扰（EMI）性能，有助于提升系统的稳定性与兼容性。

IXTH31N15MB广泛应用于多种电力电子系统中，尤其适合于需要高效率、高可靠性和高电流能力的电源转换装置。常见的应用包括工业电源、不间断电源（UPS）、电机驱动器、太阳能逆变器、DC-DC转换器以及电池管理系统等。在这些应用中，该MOSFET可以作为主开关器件或同步整流器件使用，有效提升系统效率并减少热损耗。
　　此外，由于其良好的热管理和耐高温性能，该器件也常用于汽车电子系统，如车载充电器（OBC）、电池管理系统（BMS）以及电动工具驱动器等。在这些应用中，IXTH31N15MB不仅能够承受较大的电流冲击，还能在高温环境下稳定运行，满足汽车电子对可靠性的严格要求。

IXTH31N15MH1, IXTH32N150B, IXTH31N150B