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IXTH2N170D2 发布时间 时间:2025/8/6 9:08:32 查看 阅读:5

IXTH2N170D2是一款由Littelfuse(原IXYS公司)制造的高电压、高电流双极性晶体管(BJT),专为高功率应用设计。该晶体管采用TO-247封装,具有良好的热性能和高可靠性,适用于各种高功率电子设备和工业控制系统。

参数

晶体管类型:NPN双极性晶体管
  最大集电极电流(Ic):2A
  最大集电极-发射极电压(Vce):1700V
  最大集电极-基极电压(Vcb):1700V
  最大基极电流(Ib):0.2A
  功耗(Ptot):80W
  工作温度范围:-55°C至+150°C
  存储温度范围:-55°C至+150°C
  封装类型:TO-247

特性

IXTH2N170D2具有优异的电气性能和稳定性,适用于高电压和高功率环境。其高耐压能力使其能够在高压电源、逆变器和电机驱动器中可靠运行。此外,该晶体管的热性能优秀,能够有效散热,从而延长设备的使用寿命。
  这款晶体管还具备良好的开关特性,能够在高频率下运行,减少能量损耗并提高系统效率。其坚固的封装设计确保了在恶劣环境下的稳定性和可靠性,使其成为工业和电力电子应用的理想选择。
  IXTH2N170D2的引脚排列设计便于安装和焊接,简化了电路设计和维护。此外,该晶体管符合RoHS标准,不含有害物质,符合环保要求。

应用

IXTH2N170D2广泛应用于高功率电子设备,如电源供应器、逆变器、电机控制器和焊接设备。它还适用于高压直流电源、工业自动化系统和电力调节设备。由于其高电压和高电流特性,这款晶体管也常用于测试和测量设备、高频放大器和开关电源设计中。
  在电机控制和驱动应用中,IXTH2N170D2可以提供稳定的输出性能,确保设备高效运行。同时,它在高频开关应用中的表现也非常出色,能够有效减少开关损耗,提高整体系统效率。此外,该晶体管还可用于高频逆变器和UPS(不间断电源)系统中,提供可靠的功率输出。

替代型号

IXTH3N170D2, IXTH2N150D2, IXTH2N170D2ST

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IXTH2N170D2参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格1 : ¥163.37000管件
  • 系列Depletion
  • 包装管件
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)1700 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)2A(Tj)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)0V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)6.5 欧姆 @ 1A,0V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)-
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)110 nC @ 5 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)3650 pF @ 10 V
  • FET 功能耗尽模式
  • 功率耗散(最大值)568W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型通孔
  • 供应商器件封装TO-247(IXTH)
  • 封装/外壳TO-247-3