类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏源电压 VDS：400V
　　最大漏极电流 ID：27A（25°C）
　　最大导通电阻 RDS(on)：典型值 0.155Ω（最大值 0.19Ω）
　　栅极阈值电压 VGS(th)：2V ~ 4V
　　最大功耗 PD：160W
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装形式：TO-247

IXTH27N40MA 具备多项优异的电气和热性能，确保其在严苛环境下的稳定运行。其主要特性包括：
　　? 低导通电阻：RDS(on) 的典型值仅为 0.155Ω，有助于降低导通损耗，提高系统效率。
　　? 高耐压能力：漏源击穿电压为 400V，适合用于高电压电源系统中。
　　? 快速开关性能：具有较低的输入电容（Ciss）和输出电容（Coss），可实现快速开关操作，降低开关损耗。
　　? 高可靠性：采用先进的硅工艺和封装技术，确保在高温和大电流条件下的长期可靠性。
　　? 热阻低：封装设计优化了热阻，提高了散热效率，使器件在高功率应用中保持稳定性能。
　　? 雪崩能量耐受能力：具备一定的雪崩击穿耐受能力，增强器件在异常工作条件下的鲁棒性。
　　? 符合 RoHS 标准：无铅环保封装，适用于现代绿色电子产品制造。

IXTH27N40MA 适用于多种高功率电子系统，常见应用包括：
　　? 开关电源（SMPS）：适用于 AC-DC 和 DC-DC 转换器中的主开关或同步整流器，提高电源转换效率。
　　? 电机驱动和控制：用于无刷直流电机、伺服电机等控制系统，实现高效和高精度控制。
　　? 逆变器系统：适用于太阳能逆变器、UPS 不间断电源等设备中的功率转换部分。
　　? 电池管理系统：用于电池充放电控制和保护电路，确保电池系统的安全与高效运行。
　　? 工业自动化：适用于工业控制设备中的高功率开关控制。
　　? LED 照明驱动：用于高功率 LED 灯具的恒流驱动电路。

IXTH24N40MS2, IRF460, FQA28N40, STW22N40