时间：2025/8/6 3:34:26
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IXTH270N04T4是一款由Littelfuse公司生产的N沟道增强型功率MOSFET，具有高电流能力和低导通电阻的特点。该器件适用于高功率开关应用，如电源管理、DC-DC转换器、电机控制和逆变器等。
类型：MOSFET
沟道类型：N沟道
漏极电流（ID）：270A
漏极-源极击穿电压（VDS）：40V
栅极-源极电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：最大值4.75mΩ
封装类型：TO-263（D2PAK）
工作温度范围：-55°C至175°C
功耗（PD）：200W
IXTH270N04T4 MOSFET具备多个关键特性，使其适用于高性能功率转换应用。首先，其低导通电阻（RDS(on)）确保在高电流条件下实现较低的导通损耗，从而提高整体系统效率。该器件的高电流承载能力（高达270A）使其非常适合用于高功率密度设计。
其次，该MOSFET采用TO-263（D2PAK）表面贴装封装，具有良好的热管理和机械稳定性，适用于自动化装配流程。该封装还提供了良好的电气绝缘性能，便于在PCB上布局。
此外，IXTH270N04T4支持宽范围的栅极驱动电压（±20V），增强了设计的灵活性。该器件的高耐用性和宽工作温度范围（-55°C至175°C）也使其能够在恶劣环境下稳定运行，适用于工业控制、汽车电子和可再生能源系统等领域。
IXTH270N04T4 MOSFET广泛应用于需要高电流和低导通损耗的功率电子设备中。常见的应用场景包括大功率DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动器、电池管理系统（BMS）以及光伏逆变器等。由于其高可靠性和优异的热性能，该器件也常用于电动汽车（EV）充电系统、不间断电源（UPS）和工业自动化设备中的功率开关电路。
IXTH270N04T4的替代型号包括IXTH250N04T4、IXTH270N04T4ST、IXFN270N04T4等。
