IXTH26N50A 时间：2025/8/5 18:40:41 阅读：31

IXTH26N50A是一款由Littelfuse（原IXYS）制造的高功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理和功率转换系统中。这款MOSFET专为高效能和高可靠性设计，适合于需要高电流和高电压处理能力的电路。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：26A
　　最大漏-源电压（VDS）：500V
　　最大栅极-源极电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：0.21Ω（最大）
　　功率耗散（PD）：300W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：TO-247

特性

IXTH26N50A具备出色的导通和开关性能，能够在高电压和高电流条件下保持稳定运行。其低导通电阻（RDS(on)）确保了在导通状态下的功率损耗最小化，提高了整体系统的效率。该器件还具备快速开关特性，使其适用于高频开关应用，如DC-DC转换器、AC-DC电源供应器和电机控制电路。此外，该MOSFET采用先进的平面技术制造，具有优异的热稳定性和耐久性，能够在严苛的环境条件下运行。
　　该器件的TO-247封装形式有助于实现良好的散热性能，确保在高功耗应用中保持较低的结温。其栅极驱动电压范围较宽，允许使用标准的10V至15V栅极驱动电路进行控制。IXTH26N50A还具备出色的短路耐受能力，增强了器件在异常工作条件下的鲁棒性。

应用

IXTH26N50A广泛应用于各种高功率电子系统中，包括但不限于工业电源、服务器电源、太阳能逆变器、不间断电源（UPS）、电池充电器和电机驱动器。由于其高耐压能力和高电流容量，该器件也常用于需要高效率和高可靠性的汽车电子系统，如电动汽车（EV）充电模块和车载DC-DC转换器。此外，该MOSFET还适用于消费类电子产品中的高功率开关电源设计，如高性能台式计算机电源和高端家电控制系统。