IXTH26N45 时间：2025/8/5 21:07:33 阅读：11

IXTH26N45是一款由Littelfuse（原IXYS公司）生产的高电压、高电流N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源转换、电机控制、逆变器以及各种高功率电子系统中。该器件采用TO-247封装形式，具备良好的散热性能和高可靠性。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：450V
　　最大漏极电流(Id)：26A（连续）
　　最大栅源电压(Vgs)：±20V
　　导通电阻(Rds(on))：典型值0.19Ω（最大0.23Ω）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-247
　　最大功耗(Pd)：200W

特性

IXTH26N45具有低导通电阻和高电流承载能力，使其在高功率应用中表现出色。其快速开关特性可有效减少开关损耗，提高系统效率。此外，该器件具有较高的热稳定性，能够在高负载条件下保持稳定运行。该MOSFET采用先进的沟槽式技术，提供优异的性能和可靠性。器件的封装设计便于安装散热器，有助于提高散热效率，延长使用寿命。
　　在安全性和保护方面，IXTH26N45具备较高的短路耐受能力，并能够在高温环境下正常工作。其栅极设计优化了驱动性能，降低了驱动损耗，适用于高频开关应用。该器件还具有良好的抗电磁干扰（EMI）性能，适用于工业和汽车电子系统。
　　由于其优异的电气特性和机械设计，IXTH26N45可在各种恶劣环境中稳定运行，满足工业级和汽车级应用标准。