时间：2025/8/5 16:31:50
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IXTH24N65X是一种高性能的N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由IXYS公司制造。该器件设计用于高功率应用，具有低导通电阻、高耐压能力以及快速开关特性。它广泛应用于电源转换器、马达驱动、不间断电源（UPS）、照明系统以及其他需要高效功率管理的场合。IXTH24N65X采用TO-247封装，适合高电流工作环境，并提供良好的热性能以确保长期稳定运行。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：24A
漏极-源极击穿电压（VDS）：650V
栅极-源极电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：典型值0.22Ω
功耗（PD）：200W
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装形式：TO-247
IXTH24N65X MOSFET具有多项显著的电气和物理特性。首先，其650V的高耐压能力使其适用于多种高电压应用场景，如电源适配器、工业控制和照明设备。其次，该器件具备较低的导通电阻（RDS(on)），这有助于降低导通损耗并提高整体系统效率。此外，IXTH24N65X采用了先进的平面技术，提供出色的热稳定性和高电流承载能力。
该MOSFET的快速开关特性减少了开关损耗，使其适用于高频开关应用。其TO-247封装形式不仅提供良好的散热性能，还便于安装和使用。IXTH24N65X的高可靠性使其在恶劣工作条件下仍能保持稳定运行，适用于工业和消费类电子设备中的关键功率管理模块。
IXTH24N65X广泛应用于多种高功率电子系统中。它常用于电源供应器中的DC-DC转换器和AC-DC整流器，以提高能源利用效率。此外，该器件也适用于马达控制电路、UPS系统、LED照明驱动器以及焊接设备等工业设备。由于其高耐压和低导通电阻特性，IXTH24N65X也常被用于高功率开关模式电源（SMPS）的设计中。在电动汽车充电设备和太阳能逆变器等新能源应用中，该MOSFET也发挥着重要作用。
STP24N65M5, FQA24N65, IRFP4668
