IXTH24N50MB 时间：2025/8/5 18:09:23 阅读：12

IXTH24N50MB是一款由Littelfuse（力特）公司生产的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高功率开关应用设计。该器件采用先进的平面技术，具有低导通电阻、高耐压和高电流承载能力的特点，广泛应用于电源管理、电机控制、DC-DC转换器、逆变器以及工业自动化设备等领域。IXTH24N50MB封装形式为TO-247，便于散热和安装。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(Vds)：500V
　　栅源电压(Vgs)：±30V
　　连续漏极电流(Id)：24A
　　导通电阻(Rds(on))：0.21Ω
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装类型：TO-247

特性

IXTH24N50MB具有多项优异特性，首先其高耐压能力（500V）使其适用于高压电源转换系统，如PFC（功率因数校正）电路和开关电源。其次，其低导通电阻（Rds(on)）为0.21Ω，能够显著降低导通损耗，提高系统效率。此外，该MOSFET具备较高的电流承载能力（24A），适用于大功率负载的开关控制。
　　在热性能方面，IXTH24N50MB采用TO-247封装，具有良好的散热性能，可在高温环境下稳定运行。其栅极驱动电压范围宽（±30V），兼容多种驱动电路设计。该器件还具有快速开关特性，有助于减少开关损耗，提高整体系统响应速度。最后，该MOSFET具备良好的雪崩能量耐受能力，增强了器件在高压瞬态条件下的可靠性，适用于工业级和高可靠性应用场景。

应用

IXTH24N50MB广泛应用于各种电力电子系统中，包括开关电源（SMPS）、电机驱动器、DC-DC转换器、UPS不间断电源、光伏逆变器以及工业自动化控制系统。其高耐压和大电流能力使其成为中高功率电源转换应用的理想选择。例如，在PFC电路中，IXTH24N50MB可作为主开关器件，提高电源的功率因数并降低谐波失真。在电机控制应用中，它可用于H桥驱动电路，实现高效、可靠的电机正反转控制。此外，该MOSFET也可用于LED照明驱动、电池管理系统（BMS）以及电能质量调节设备中。