IXTH220N20X4 是一款由 Littelfuse(原 IXYS)生产的高功率 N 沟道 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛用于高电流和高电压应用。该器件采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术,具有低导通电阻(Rds(on))和高电流承载能力,适用于电源转换、电机控制、UPS 系统、焊接设备和工业自动化等领域。
类型:N 沟道 MOSFET
漏源电压(Vds):200V
栅源电压(Vgs):±20V
漏极电流(Id):220A(在 Tc=25°C)
功耗(Ptot):540W
工作温度范围:-55°C ~ +175°C
封装形式:TO-264(单封装)
导通电阻(Rds(on)):最大 9.8mΩ(在 Vgs=10V)
栅极电荷(Qg):260nC(典型值)
输入电容(Ciss):4900pF(典型值)
IXTH220N20X4 采用先进的沟槽式技术,使导通电阻极低,从而降低了导通损耗,提高了系统效率。
该器件具有较高的电流承载能力,支持高达 220A 的漏极电流,适用于高功率应用场景。
其 200V 的漏源击穿电压使其适用于中高压电源系统,例如工业电源和电机驱动器。
TO-264 封装具备良好的热管理和高功率散热能力,确保在高负载下稳定运行。
该 MOSFET 还具备良好的抗雪崩能力,提高了器件在高压冲击环境下的可靠性。
由于其低栅极电荷(Qg)和输入电容(Ciss),IXTH220N20X4 可实现快速开关操作,适用于高频开关应用。
此外,其宽工作温度范围(-55°C 至 +175°C)增强了在极端环境下的适用性,适合工业级和汽车级应用需求。
IXTH220N20X4 常用于各种高功率电子系统中,如不间断电源(UPS)、直流电源转换器、电机驱动器、焊接设备、电镀电源和工业自动化控制系统。
它也适用于需要高效能、高可靠性的应用,例如新能源系统中的逆变器和储能系统。
由于其出色的导通性能和高耐压特性,该 MOSFET 也广泛应用于大功率 DC-DC 转换器、开关电源(SMPS)以及工业电机控制设备。
此外,它还可用于电动汽车(EV)充电系统、光伏逆变器以及高功率 LED 驱动器等新兴应用领域。
IXTH220N20X4 可以替代的型号包括 IXTH200N20X4 和 IXFN220N20X4。