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IXTH220N20X4 发布时间 时间:2025/8/6 1:18:12 查看 阅读:24

IXTH220N20X4 是一款由 Littelfuse(原 IXYS)生产的高功率 N 沟道 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛用于高电流和高电压应用。该器件采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术,具有低导通电阻(Rds(on))和高电流承载能力,适用于电源转换、电机控制、UPS 系统、焊接设备和工业自动化等领域。

参数

类型:N 沟道 MOSFET
  漏源电压(Vds):200V
  栅源电压(Vgs):±20V
  漏极电流(Id):220A(在 Tc=25°C)
  功耗(Ptot):540W
  工作温度范围:-55°C ~ +175°C
  封装形式:TO-264(单封装)
  导通电阻(Rds(on)):最大 9.8mΩ(在 Vgs=10V)
  栅极电荷(Qg):260nC(典型值)
  输入电容(Ciss):4900pF(典型值)

特性

IXTH220N20X4 采用先进的沟槽式技术,使导通电阻极低,从而降低了导通损耗,提高了系统效率。
  该器件具有较高的电流承载能力,支持高达 220A 的漏极电流,适用于高功率应用场景。
  其 200V 的漏源击穿电压使其适用于中高压电源系统,例如工业电源和电机驱动器。
  TO-264 封装具备良好的热管理和高功率散热能力,确保在高负载下稳定运行。
  该 MOSFET 还具备良好的抗雪崩能力,提高了器件在高压冲击环境下的可靠性。
  由于其低栅极电荷(Qg)和输入电容(Ciss),IXTH220N20X4 可实现快速开关操作,适用于高频开关应用。
  此外,其宽工作温度范围(-55°C 至 +175°C)增强了在极端环境下的适用性,适合工业级和汽车级应用需求。

应用

IXTH220N20X4 常用于各种高功率电子系统中,如不间断电源(UPS)、直流电源转换器、电机驱动器、焊接设备、电镀电源和工业自动化控制系统。
  它也适用于需要高效能、高可靠性的应用,例如新能源系统中的逆变器和储能系统。
  由于其出色的导通性能和高耐压特性,该 MOSFET 也广泛应用于大功率 DC-DC 转换器、开关电源(SMPS)以及工业电机控制设备。
  此外,它还可用于电动汽车(EV)充电系统、光伏逆变器以及高功率 LED 驱动器等新兴应用领域。

替代型号

IXTH220N20X4 可以替代的型号包括 IXTH200N20X4 和 IXFN220N20X4。

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IXTH220N20X4参数

  • 现有数量452现货
  • 价格1 : ¥151.68000管件
  • 系列Ultra X4
  • 包装管件
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)200 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)220A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)5.5 毫欧 @ 110A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)4.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)157 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)12300 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)800W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型通孔
  • 供应商器件封装ISO TO-247-3
  • 封装/外壳TO-247-3