时间：2025/8/5 17:30:01
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IXTH18N65A是一款高功率N沟道增强型MOSFET，由Littelfuse生产。这款MOSFET设计用于需要高效能和高可靠性的应用，例如电源供应器、电动机控制和逆变器系统。其高电流容量和耐压能力使其在工业和商业应用中具有广泛用途。
类型：MOSFET
晶体管类型：N沟道增强型
最大漏源电压(Vds)：650V
最大漏极电流(Id)：18A
导通电阻(Rds(on))：0.23Ω
封装类型：TO-247
最大功率耗散：200W
IXTH18N65A具有低导通电阻，这有助于降低导通状态下的功率损耗并提高系统效率。其高耐压能力使其适用于高压电源系统。此外，该器件具有快速开关特性，有助于减少开关损耗并提高操作频率。采用TO-247封装，提供了良好的热管理和机械稳定性，适用于高功率密度设计。该MOSFET还具有较高的抗雪崩能力，增强了在极端条件下的可靠性。
IXTH18N65A常用于各种高功率电子设备中，如开关电源(SMPS)、电机驱动器、逆变器、不间断电源(UPS)、电池充电器和工业自动化控制系统。其高耐压和高电流处理能力使其特别适合于需要高可靠性和高效率的电力电子转换系统。
IXFH18N65P, IXTP18N65A, IXTR18N65A
