时间：2025/8/5 17:20:22
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IXTH17N55A 是一款由 IXYS 公司制造的高功率 N 沟道增强型双极晶体管（MOSFET），专为高性能功率开关应用而设计。该器件采用了先进的平面 MOSFET 技术，提供出色的热稳定性和高可靠性。IXTH17N55A 的设计使其适用于各种高功率应用，如电源转换器、电机控制、逆变器以及工业自动化设备。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：17A
最大漏-源电压（VDS）：550V
最大栅-源电压（VGS）：±30V
最大功率耗散（PD）：200W
工作温度范围：-55°C至+150°C
导通电阻（RDS(on)）：典型值为0.38Ω
封装形式：TO-247
IXTH17N55A 具有多种设计特点，使其在功率电子应用中表现出色。首先，其高电压耐受能力（550V VDS）允许在高压系统中使用，如电源转换和电机控制。此外，其低导通电阻（典型值为0.38Ω）有助于减少导通损耗，提高整体系统效率。该器件的 TO-247 封装设计提供了良好的散热性能，确保在高功率条件下仍能保持稳定运行。此外，IXTH17N55A 的栅极驱动要求较低，能够与标准驱动电路兼容，降低了驱动电路的设计复杂性。该器件还具有良好的热稳定性，能够在较宽的温度范围内（-55°C至+150°C）正常工作，适合在极端环境条件下使用。最后，其高可靠性设计确保在长期运行中具有较低的故障率，适用于工业级应用。
IXTH17N55A 主要应用于需要高电压和高功率处理能力的场合。其典型应用包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动器、逆变器、UPS系统、工业自动化设备以及照明控制系统。由于其优异的电气特性和热管理能力，该器件也常用于需要长时间连续运行的工业设备中，如变频器和高功率LED照明系统。
STP17N55A, FDPF17N55AS
