IXTH15N80A是一款由Littelfuse(原IXYS公司)生产的高电压、高电流能力的N沟道增强型功率MOSFET。该器件设计用于需要高效能和高可靠性的应用,例如开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、电机控制和逆变器系统。该MOSFET采用了先进的平面技术,具备较低的导通电阻(Rds(on))和高耐用性,能够在高电压下提供稳定的性能。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(Vds):800V
栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):15A
功耗(Pd):125W
工作温度范围:-55°C 至 150°C
封装类型:TO-247
IXTH15N80A具有多项优越的电气和热性能,使其适用于高功率密度设计。首先,该器件的导通电阻相对较低,通常为0.55Ω,这有助于减少导通损耗并提高整体效率。其次,它具备高雪崩能量耐受能力,能够在极端条件下提供可靠的过载保护。此外,IXTH15N80A采用了TO-247封装,具备良好的散热性能,有助于提高器件在高电流工作状态下的热稳定性。
该MOSFET还具备快速开关特性,具有较低的开关损耗,适用于高频开关应用。栅极电荷(Qg)较低,有助于减少驱动电路的负担并提高系统的响应速度。此外,其封装设计允许直接安装在散热器上,从而进一步增强热管理能力。这些特性使得IXTH15N80A在各种工业和电源管理系统中表现出色。
IXTH15N80A适用于多种高功率电子系统,包括但不限于开关电源(SMPS)、不间断电源(UPS)、DC-DC转换器、电池充电器、电机驱动器以及光伏逆变器。由于其高电压和高电流处理能力,它也常用于工业自动化设备、LED照明系统以及新能源应用中的功率控制电路。在这些应用中,该MOSFET能够提供高效的电能转换和可靠的运行性能。
STF15N80K5, IRF840, FQP15N80